Capacità di transizione calcolatrice

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Parametri elettrostatici

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri operativi del transistor

✖L'area della piastra di giunzione è definita come l'area della superficie totale delle piastre delle giunzioni p e n.ⓘ Area della piastra di giunzione [A_jp]			+10% -10%
✖La larghezza della regione di esaurimento agisce come una barriera che si oppone al flusso di elettroni dal lato n al lato p del diodo semiconduttore.ⓘ Larghezza della regione di svuotamento [W_d]			+10% -10%

✖La capacità di transizione rappresenta la variazione di carica immagazzinata nella regione di esaurimento rispetto a una variazione della tensione di giunzione.ⓘ Capacità di transizione [C_T]

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Formula

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Capacità di transizione

Formula

`"C"_{"T"} = ("[Permitivity-vacuum]"*"A"_{"jp"})/"W"_{"d"}`

Esempio

`"7.643182pF"=("[Permitivity-vacuum]"*"0.019m²")/"22mm"`

Calcolatrice

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Capacità di transizione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di transizione = ([Permitivity-vacuum]*Area della piastra di giunzione)/Larghezza della regione di svuotamento
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto Valore preso come 8.85E-12

Variabili utilizzate

Capacità di transizione - (Misurato in Farad) - La capacità di transizione rappresenta la variazione di carica immagazzinata nella regione di esaurimento rispetto a una variazione della tensione di giunzione.
Area della piastra di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area della piastra di giunzione è definita come l'area della superficie totale delle piastre delle giunzioni p e n.
Larghezza della regione di svuotamento - (Misurato in metro) - La larghezza della regione di esaurimento agisce come una barriera che si oppone al flusso di elettroni dal lato n al lato p del diodo semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Area della piastra di giunzione: 0.019 Metro quadrato --> 0.019 Metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Larghezza della regione di svuotamento: 22 Millimetro --> 0.022 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d --> ([Permitivity-vacuum]*0.019)/0.022

Valutare ... ...

C_T = 7.64318181818182E-12

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.64318181818182E-12 Farad -->7.64318181818182 picofarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

7.64318181818182 ≈ 7.643182 picofarad <-- Capacità di transizione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 14 Parametri elettrostatici Calcolatrici

Sensibilità alla deflessione magnetica

Partire Sensibilità alla deflessione magnetica = (Lunghezza delle piastre deflettrici*Lunghezza tubo catodico)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Tensione anodica)))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Lunghezza delle piastre deflettrici*Lunghezza tubo catodico)/(2*Distanza tra le piastre deflettrici*Tensione anodica)

Tensione di sala

Partire Tensione di sala = ((Intensità del campo magnetico*Corrente elettrica)/(Coefficiente di sala*Larghezza del semiconduttore))

Raggio di elettrone su percorso circolare

Partire Raggio di elettrone = ([Mass-e]*Velocità dell'elettrone)/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Capacità di transizione

Partire Capacità di transizione = ([Permitivity-vacuum]*Area della piastra di giunzione)/Larghezza della regione di svuotamento

Velocità angolare delle particelle nel campo magnetico

Partire Velocità angolare della particella = (Carica di particelle*Intensità del campo magnetico)/Massa delle particelle

Flusso elettrico

Partire Flusso elettrico = Intensità del campo elettrico*Area di superficie*cos(Angolo)

Velocità angolare dell'elettrone nel campo magnetico

Partire Velocità angolare dell'elettrone = ([Charge-e]*Intensità del campo magnetico)/[Mass-e]

Accelerazione delle particelle

Partire Accelerazione delle particelle = ([Charge-e]*Intensità del campo elettrico)/[Mass-e]

Lunghezza del percorso della particella nel piano cicloidale

Partire Percorso cicloidale delle particelle = Velocità dell'elettrone nei campi di forza/Velocità angolare dell'elettrone

Intensità del campo magnetico

Partire Intensità del campo magnetico = Lunghezza del filo/(2*pi*Distanza dal filo)

Intensità del campo elettrico

Partire Intensità del campo elettrico = Forza elettrica/Carica elettrica

Densità del flusso elettrico

Partire Densità del flusso elettrico = Flusso elettrico/Superficie

Diametro del cicloide

Partire Diametro della cicloide = 2*Percorso cicloidale delle particelle

Capacità di transizione Formula

Capacità di transizione = ([Permitivity-vacuum]*Area della piastra di giunzione)/Larghezza della regione di svuotamento
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d

Cosa intendi per capacità di transizione di un diodo a giunzione PN?

Il diodo a giunzione PN può essere considerato un condensatore a piastre parallele. La quantità di capacità modificata con l'aumento della tensione è chiamata capacità di transizione. La capacità di transizione è anche nota come capacità della regione di svuotamento, capacità di giunzione o capacità di barriera.

Come si altera la capacità con la tensione?

Sappiamo che capacità significa capacità di immagazzinare carica elettrica. Il diodo a giunzione pn con larghezza di svuotamento ridotta e grandi regioni di tipo p e tipo n immagazzinerà una grande quantità di carica elettrica mentre il diodo a giunzione pn con ampia larghezza di svuotamento e piccole regioni di tipo p e tipo n immagazzinerà solo una piccola quantità di carica elettrica. Pertanto, la capacità del diodo a giunzione pn di polarizzazione inversa diminuisce all'aumentare della tensione.

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