Capacité de transition Calculatrice

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Paramètres de fonctionnement des transistors

✖La surface de la plaque de jonction est définie comme la surface totale des plaques des jonctions p et n.ⓘ Zone de la plaque de jonction [A_jp]			+10% -10%
✖La largeur de la région d'appauvrissement agit comme une barrière qui s'oppose au flux d'électrons du côté n vers le côté p de la diode à semi-conducteur.ⓘ Largeur de la région d'appauvrissement [W_d]			+10% -10%

✖La capacité de transition représente le changement de charge stockée dans la région d'appauvrissement par rapport à un changement de tension de jonction.ⓘ Capacité de transition [C_T]

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Formule

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Capacité de transition

Formule

`"C"_{"T"} = ("[Permitivity-vacuum]"*"A"_{"jp"})/"W"_{"d"}`

Exemple

`"7.643182pF"=("[Permitivity-vacuum]"*"0.019m²")/"22mm"`

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Capacité de transition Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de transition = ([Permitivity-vacuum]*Zone de la plaque de jonction)/Largeur de la région d'appauvrissement
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12

Variables utilisées

Capacité de transition - (Mesuré en Farad) - La capacité de transition représente le changement de charge stockée dans la région d'appauvrissement par rapport à un changement de tension de jonction.
Zone de la plaque de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La surface de la plaque de jonction est définie comme la surface totale des plaques des jonctions p et n.
Largeur de la région d'appauvrissement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement agit comme une barrière qui s'oppose au flux d'électrons du côté n vers le côté p de la diode à semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Zone de la plaque de jonction: 0.019 Mètre carré --> 0.019 Mètre carré Aucune conversion requise
Largeur de la région d'appauvrissement: 22 Millimètre --> 0.022 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d --> ([Permitivity-vacuum]*0.019)/0.022

Évaluer ... ...

C_T = 7.64318181818182E-12

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.64318181818182E-12 Farad -->7.64318181818182 picofarad (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

7.64318181818182 ≈ 7.643182 picofarad <-- Capacité de transition

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 14 Paramètres électrostatiques Calculatrices

Sensibilité de déflexion magnétique

Aller Sensibilité de déviation magnétique = (Longueur des plaques déflectrices*Longueur du tube cathodique)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Tension d'anode)))

Sensibilité à la déviation électrostatique

Aller Sensibilité à la déviation électrostatique = (Longueur des plaques déflectrices*Longueur du tube cathodique)/(2*Distance entre les plaques déflectrices*Tension d'anode)

Tension Hall

Aller Tension Hall = ((Intensité du champ magnétique*Courant électrique)/(Coefficient de Hall*Largeur du semi-conducteur))

Rayon d'électron sur chemin circulaire

Aller Rayon d'électron = ([Mass-e]*Vitesse des électrons)/(Intensité du champ magnétique*[Charge-e])

Capacité de transition

Aller Capacité de transition = ([Permitivity-vacuum]*Zone de la plaque de jonction)/Largeur de la région d'appauvrissement

Vitesse angulaire des particules dans le champ magnétique

Aller Vitesse angulaire de la particule = (Charge de particules*Intensité du champ magnétique)/Masse des particules

Flux électrique

Aller Flux électrique = Intensité du champ électrique*Superficie*cos(Angle)

Vitesse angulaire de l'électron dans le champ magnétique

Aller Vitesse angulaire de l'électron = ([Charge-e]*Intensité du champ magnétique)/[Mass-e]

Accélération de particules

Aller Accélération de particules = ([Charge-e]*Intensité du champ électrique)/[Mass-e]

Longueur du trajet de la particule dans le plan cycloïdal

Aller Chemin cycloïdal des particules = Vitesse de l'électron dans les champs de force/Vitesse angulaire de l'électron

Intensité du champ magnétique

Aller Intensité du champ magnétique = Longueur de fil/(2*pi*Distance du fil)

Intensité du champ électrique

Aller Intensité du champ électrique = Force électrique/Charge électrique

Densité de flux électrique

Aller Densité de flux électrique = Flux électrique/Superficie

Diamètre de la cycloïde

Aller Diamètre de la cycloïde = 2*Chemin cycloïdal des particules

Capacité de transition Formule

Capacité de transition = ([Permitivity-vacuum]*Zone de la plaque de jonction)/Largeur de la région d'appauvrissement
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d

Qu'entendez-vous par capacité de transition d'une diode à jonction PN ?

La diode à jonction PN peut être considérée comme un condensateur à plaques parallèles. La quantité de capacité modifiée avec l'augmentation de la tension est appelée capacité de transition. La capacité de transition est également appelée capacité de région d'appauvrissement, capacité de jonction ou capacité de barrière.

Comment la capacité est-elle modifiée avec la tension?

Nous savons que la capacité signifie la capacité de stocker une charge électrique. La diode à jonction pn avec une largeur d'appauvrissement étroite et de grandes régions de type p et de type n stockera une grande quantité de charge électrique tandis que la diode à jonction pn avec une large largeur d'appauvrissement et de petites régions de type p et de type n ne stockera qu'une petite quantité de charge électrique. Par conséquent, la capacité de la diode à jonction pn de polarisation inverse diminue lorsque la tension augmente.

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