Диод с PN-переходом можно рассматривать как конденсатор с параллельными пластинами. Величина емкости, изменяющаяся с увеличением напряжения, называется переходной емкостью. Емкость перехода также известна как емкость обедненной области, емкость перехода или барьерная емкость.
Мы знаем, что емкость означает способность накапливать электрический заряд. Диод с pn-переходом с малой шириной обеднения и большими областями p-типа и n-типа будет накапливать большое количество электрического заряда, тогда как диод pn-перехода с большой шириной обеднения и небольшими областями p-типа и n-типа будет накапливать только небольшое количество электрического заряда. Следовательно, емкость диода на pn-переходе обратного смещения уменьшается при увеличении напряжения.