Übergangskapazität Taschenrechner

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Elektrostatische Parameter

Betriebsparameter des Transistors

Diodeneigenschaften

Halbleitereigenschaften

Ladungsträgereigenschaften

✖Die Anschlussplattenfläche ist definiert als die Gesamtoberfläche der Platten von p- und n-Übergängen.ⓘ Anschlussplattenbereich [A_jp]			+10% -10%
✖Die Breite des Verarmungsbereichs wirkt als Barriere, die dem Elektronenfluss von der n-Seite zur p-Seite der Halbleiterdiode entgegenwirkt.ⓘ Breite der Verarmungsregion [W_d]			+10% -10%

✖Die Übergangskapazität stellt die Änderung der im Verarmungsbereich gespeicherten Ladung in Bezug auf eine Änderung der Sperrschichtspannung dar.ⓘ Übergangskapazität [C_T]

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Formel

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Übergangskapazität

Formel

`"C"_{"T"} = ("[Permitivity-vacuum]"*"A"_{"jp"})/"W"_{"d"}`

Beispiel

`"7.643182pF"=("[Permitivity-vacuum]"*"0.019m²")/"22mm"`

Taschenrechner

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Übergangskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangskapazität = ([Permitivity-vacuum]*Anschlussplattenbereich)/Breite der Verarmungsregion
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12

Verwendete Variablen

Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Übergangskapazität stellt die Änderung der im Verarmungsbereich gespeicherten Ladung in Bezug auf eine Änderung der Sperrschichtspannung dar.
Anschlussplattenbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Anschlussplattenfläche ist definiert als die Gesamtoberfläche der Platten von p- und n-Übergängen.
Breite der Verarmungsregion - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Verarmungsbereichs wirkt als Barriere, die dem Elektronenfluss von der n-Seite zur p-Seite der Halbleiterdiode entgegenwirkt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Anschlussplattenbereich: 0.019 Quadratmeter --> 0.019 Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite der Verarmungsregion: 22 Millimeter --> 0.022 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d --> ([Permitivity-vacuum]*0.019)/0.022

Auswerten ... ...

C_T = 7.64318181818182E-12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.64318181818182E-12 Farad -->7.64318181818182 Pikofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.64318181818182 ≈ 7.643182 Pikofarad <-- Übergangskapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Elektrostatische Parameter Taschenrechner

Magnetische Ablenkempfindlichkeit

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Übergangskapazität

Gehen Übergangskapazität = ([Permitivity-vacuum]*Anschlussplattenbereich)/Breite der Verarmungsregion

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Winkelgeschwindigkeit des Elektrons im Magnetfeld

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Elektrische Feldstärke

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Elektrische Flussdichte

Gehen Elektrische Flussdichte = Elektrischer Fluss/Oberfläche

Durchmesser der Zykloide

Gehen Durchmesser der Zykloide = 2*Zykloidenweg der Teilchen

Übergangskapazität Formel

Übergangskapazität = ([Permitivity-vacuum]*Anschlussplattenbereich)/Breite der Verarmungsregion
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d

Was meinst du mit Übergangskapazität einer PN-Übergangsdiode?

Die PN-Übergangsdiode kann als Parallelplattenkondensator betrachtet werden. Die Größe der Kapazität, die sich mit zunehmender Spannung ändert, wird als Übergangskapazität bezeichnet. Die Übergangskapazität ist auch als Verarmungskapazität, Übergangskapazität oder Sperrkapazität bekannt.

Wie ändert sich die Kapazität mit der Spannung?

Wir wissen, dass Kapazität die Fähigkeit bedeutet, elektrische Ladung zu speichern. Die pn-Übergangsdiode mit enger Verarmungsbreite und großen Bereichen vom p-Typ und n-Typ speichert eine große Menge elektrischer Ladung, während die pn-Übergangsdiode mit großer Verarmungsbreite und kleinen Bereichen vom p-Typ und n-Typ nur eine kleine Menge speichert der elektrischen Ladung. Daher nimmt die Kapazität der pn-Sperrschichtdiode mit Sperrvorspannung ab, wenn die Spannung ansteigt.

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