Capacitância de Transição Calculadora

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Parâmetros Eletrostáticos

Características do Diodo

Características do portador de carga

Características do semicondutor

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A área da placa de junção é definida como a área de superfície total das placas das junções p e n.ⓘ Área da Placa de Junção [A_jp]			+10% -10%
✖A largura da região de depleção atua como uma barreira que se opõe ao fluxo de elétrons do lado n para o lado p do diodo semicondutor.ⓘ Largura da região de depleção [W_d]			+10% -10%

✖A capacitância de transição representa a mudança na carga armazenada na região de depleção em relação a uma mudança na tensão da junção.ⓘ Capacitância de Transição [C_T]

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Fórmula

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Capacitância de Transição

Fórmula

`"C"_{"T"} = ("[Permitivity-vacuum]"*"A"_{"jp"})/"W"_{"d"}`

Exemplo

`"7.643182pF"=("[Permitivity-vacuum]"*"0.019m²")/"22mm"`

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Capacitância de Transição Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância de Transição = ([Permitivity-vacuum]*Área da Placa de Junção)/Largura da região de depleção
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12

Variáveis Usadas

Capacitância de Transição - (Medido em Farad) - A capacitância de transição representa a mudança na carga armazenada na região de depleção em relação a uma mudança na tensão da junção.
Área da Placa de Junção - (Medido em Metro quadrado) - A área da placa de junção é definida como a área de superfície total das placas das junções p e n.
Largura da região de depleção - (Medido em Metro) - A largura da região de depleção atua como uma barreira que se opõe ao fluxo de elétrons do lado n para o lado p do diodo semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Área da Placa de Junção: 0.019 Metro quadrado --> 0.019 Metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura da região de depleção: 22 Milímetro --> 0.022 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d --> ([Permitivity-vacuum]*0.019)/0.022

Avaliando ... ...

C_T = 7.64318181818182E-12

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7.64318181818182E-12 Farad -->7.64318181818182 Picofarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

7.64318181818182 ≈ 7.643182 Picofarad <-- Capacitância de Transição

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

< 14 Parâmetros Eletrostáticos Calculadoras

Sensibilidade de Deflexão Magnética

Vai Sensibilidade de Deflexão Magnética = (Comprimento das placas defletoras*Comprimento do tubo de raios catódicos)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Tensão do Ânodo)))

Sensibilidade de deflexão eletrostática

Vai Sensibilidade de Deflexão Eletrostática = (Comprimento das placas defletoras*Comprimento do tubo de raios catódicos)/(2*Distância entre placas defletoras*Tensão do Ânodo)

Tensão Hall

Vai Tensão Hall = ((Força do campo magnético*Corrente elétrica)/(Coeficiente Hall*Largura do Semicondutor))

Raio do elétron no caminho circular

Vai raio do elétron = ([Mass-e]*Velocidade do elétron)/(Força do campo magnético*[Charge-e])

Fluxo eletrico

Vai Fluxo eletrico = Intensidade do Campo Elétrico*Área de Superfície*cos(Ângulo)

Capacitância de Transição

Vai Capacitância de Transição = ([Permitivity-vacuum]*Área da Placa de Junção)/Largura da região de depleção

Velocidade angular da partícula no campo magnético

Vai Velocidade Angular da Partícula = (carga de partícula*Força do campo magnético)/massa de partícula

Velocidade angular do elétron no campo magnético

Vai Velocidade angular do elétron = ([Charge-e]*Força do campo magnético)/[Mass-e]

Aceleração de Partículas

Vai Aceleração de Partículas = ([Charge-e]*Intensidade do Campo Elétrico)/[Mass-e]

Comprimento do caminho da partícula no plano cicloidal

Vai Caminho cicloidal da partícula = Velocidade do elétron em campos de força/Velocidade angular do elétron

Intensidade do Campo Magnético

Vai Força do campo magnético = Comprimento do fio/(2*pi*Distância do fio)

Densidade do Fluxo Elétrico

Vai Densidade do Fluxo Elétrico = Fluxo eletrico/Área de Superfície

Intensidade de campo elétrico

Vai Intensidade do Campo Elétrico = força elétrica/Carga elétrica

Diâmetro do cicloide

Vai Diâmetro da Ciclóide = 2*Caminho cicloidal da partícula

Capacitância de Transição Fórmula

Capacitância de Transição = ([Permitivity-vacuum]*Área da Placa de Junção)/Largura da região de depleção
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d

O que você quer dizer com capacitância de transição de um diodo de junção PN?

O diodo de junção PN pode ser considerado como um capacitor de placas paralelas. A quantidade de capacitância alterada com o aumento da tensão é chamada de capacitância de transição. A capacitância de transição também é conhecida como capacitância da região de depleção, capacitância de junção ou capacitância de barreira.

Como a capacitância é alterada com a tensão?

Sabemos que capacitância significa a capacidade de armazenar carga elétrica. O diodo de junção pn com largura de depleção estreita e grandes regiões do tipo p e tipo n armazenará grande quantidade de carga elétrica, enquanto o diodo de junção pn com largura de depleção ampla e pequenas regiões do tipo p e tipo n armazenará apenas uma pequena quantidade de carga elétrica. Portanto, a capacitância do diodo de junção pn de polarização reversa diminui quando a tensão aumenta.

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