Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés bipolaires

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés MOS

✖La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).ⓘ Capacité de charge [C_l]			+10% -10%
✖La tension d'alimentation est la différence de potentiel électrique entre deux points d'un circuit électrique fourni par une source d'énergie telle qu'une batterie ou une prise électrique.ⓘ Tension d'alimentation [V_cc]			+10% -10%
✖La fréquence du signal de sortie fait référence à la vitesse à laquelle un signal change ou oscille dans un système électrique ou électronique.ⓘ Fréquence du signal de sortie [f_o]			+10% -10%
✖La commutation du nombre total de sorties fait référence au nombre de sorties numériques qui changent leur état de logique haut à logique bas ou vice versa au cours d'une période de temps spécifique dans un système numérique.ⓘ Nombre total de sorties de commutation [N_SW]			+10% -10%

✖La consommation d'énergie d'une charge capacitive fait référence à l'énergie dissipée par une charge capacitive dans un circuit électrique. Lorsqu'un courant alternatif (AC) traverse un condensateur.ⓘ Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation [P_l]

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Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation

Formule

`"P"_{"l"} = "C"_{"l"}*"V"_{"cc"}^2*"f"_{"o"}*"N"_{"SW"}`

Exemple

`"0.00146W"="22.54μF"*("1.6V")^2*"1.1Hz"*"23"`

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Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Consommation d'énergie de charge capacitive - (Mesuré en Watt) - La consommation d'énergie d'une charge capacitive fait référence à l'énergie dissipée par une charge capacitive dans un circuit électrique. Lorsqu'un courant alternatif (AC) traverse un condensateur.
Capacité de charge - (Mesuré en Farad) - La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est la différence de potentiel électrique entre deux points d'un circuit électrique fourni par une source d'énergie telle qu'une batterie ou une prise électrique.
Fréquence du signal de sortie - (Mesuré en Hertz) - La fréquence du signal de sortie fait référence à la vitesse à laquelle un signal change ou oscille dans un système électrique ou électronique.
Nombre total de sorties de commutation - La commutation du nombre total de sorties fait référence au nombre de sorties numériques qui changent leur état de logique haut à logique bas ou vice versa au cours d'une période de temps spécifique dans un système numérique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de charge: 22.54 microfarades --> 2.254E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Tension d'alimentation: 1.6 Volt --> 1.6 Volt Aucune conversion requise
Fréquence du signal de sortie: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Aucune conversion requise
Nombre total de sorties de commutation: 23 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW --> 2.254E-05*1.6^2*1.1*23

Évaluer ... ...

P_l = 0.00145987072

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00145987072 Watt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.00145987072 ≈ 0.00146 Watt <-- Consommation d'énergie de charge capacitive

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

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< 19 Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Résistance du parallélépipède rectangulaire

Aller Résistance = ((Résistivité*Épaisseur de couche)/(Largeur de la couche diffusée*Longueur de la couche diffusée))*(ln(Largeur du rectangle inférieur/Longueur du rectangle inférieur)/(Largeur du rectangle inférieur-Longueur du rectangle inférieur))

Atomes d'impuretés par unité de surface

Aller Impureté totale = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique))

Conductivité de type P

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)

Conductivité de type N

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Courant collecteur du transistor PNP

Aller Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Aller Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)

Courant de saturation dans le transistor

Aller Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale

Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation

Aller Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation

Résistance de la feuille de couche

Aller Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)

Résistance de la couche diffusée

Aller Résistance = (1/Conductivité Ohmique)*(Longueur de la couche diffusée/(Largeur de la couche diffusée*Épaisseur de couche))

Trou de densité actuelle

Aller Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)

Impureté à concentration intrinsèque

Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d'injection de l'émetteur

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)

Courant circulant dans la diode Zener

Aller Courant de diode = (Tension de référence d'entrée-Tension de sortie stable)/Résistance Zener

Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés

Aller Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée

Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Aller Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)

Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation Formule

Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW

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