Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).ⓘ Capacità di carico [C_l]			+10% -10%
✖La tensione di alimentazione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti in un circuito elettrico fornito da una fonte di energia come una batteria o una presa elettrica.ⓘ Tensione di alimentazione [V_cc]			+10% -10%
✖La frequenza del segnale di uscita si riferisce alla velocità con cui un segnale cambia o oscilla in un sistema elettrico o elettronico.ⓘ Frequenza del segnale di uscita [f_o]			+10% -10%
✖Numero totale di uscite La commutazione si riferisce al conteggio delle uscite digitali che cambiano il loro stato da logico alto a logico basso o viceversa entro un periodo di tempo specifico in un sistema digitale.ⓘ Numero totale di uscite commutate [N_SW]			+10% -10%

✖Il consumo energetico del carico capacitivo si riferisce all'energia dissipata da un carico capacitivo in un circuito elettrico. Quando una corrente alternata (AC) passa attraverso un condensatore.ⓘ Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione [P_l]

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Formula

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Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Formula

`"P"_{"l"} = "C"_{"l"}*"V"_{"cc"}^2*"f"_{"o"}*"N"_{"SW"}`

Esempio

`"0.00146W"="22.54μF"*("1.6V")^2*"1.1Hz"*"23"`

Calcolatrice

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Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Consumo energetico del carico capacitivo - (Misurato in Watt) - Il consumo energetico del carico capacitivo si riferisce all'energia dissipata da un carico capacitivo in un circuito elettrico. Quando una corrente alternata (AC) passa attraverso un condensatore.
Capacità di carico - (Misurato in Farad) - La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).
Tensione di alimentazione - (Misurato in Volt) - La tensione di alimentazione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti in un circuito elettrico fornito da una fonte di energia come una batteria o una presa elettrica.
Frequenza del segnale di uscita - (Misurato in Hertz) - La frequenza del segnale di uscita si riferisce alla velocità con cui un segnale cambia o oscilla in un sistema elettrico o elettronico.
Numero totale di uscite commutate - Numero totale di uscite La commutazione si riferisce al conteggio delle uscite digitali che cambiano il loro stato da logico alto a logico basso o viceversa entro un periodo di tempo specifico in un sistema digitale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di carico: 22.54 Microfarad --> 2.254E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Tensione di alimentazione: 1.6 Volt --> 1.6 Volt Nessuna conversione richiesta
Frequenza del segnale di uscita: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Nessuna conversione richiesta
Numero totale di uscite commutate: 23 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW --> 2.254E-05*1.6^2*1.1*23

Valutare ... ...

P_l = 0.00145987072

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00145987072 Watt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.00145987072 ≈ 0.00146 Watt <-- Consumo energetico del carico capacitivo

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione Formula

Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW

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