Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung Taschenrechner

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✖Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.ⓘ Lastkapazität [C_l]			+10% -10%
✖Die Versorgungsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten in einem Stromkreis, die von einer Energiequelle wie einer Batterie oder einer Steckdose bereitgestellt wird.ⓘ Versorgungsspannung [V_cc]			+10% -10%
✖Die Ausgangssignalfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der sich ein Signal in einem elektrischen oder elektronischen System ändert oder schwingt.ⓘ Ausgangssignalfrequenz [f_o]			+10% -10%
✖Die Gesamtzahl der Ausgangsschaltungen bezieht sich auf die Anzahl der digitalen Ausgänge, die in einem digitalen System innerhalb eines bestimmten Zeitraums ihren Zustand von logisch hoch auf logisch niedrig oder umgekehrt ändern.ⓘ Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge [N_SW]			+10% -10%

✖Der Stromverbrauch kapazitiver Lasten bezieht sich auf die Energie, die durch eine kapazitive Last in einem Stromkreis verbraucht wird. Wenn ein Wechselstrom (AC) durch einen Kondensator fließt.ⓘ Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung [P_l]

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Formel

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Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Formel

`"P"_{"l"} = "C"_{"l"}*"V"_{"cc"}^2*"f"_{"o"}*"N"_{"SW"}`

Beispiel

`"0.00146W"="22.54μF"*("1.6V")^2*"1.1Hz"*"23"`

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Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch kapazitiver Last - (Gemessen in Watt) - Der Stromverbrauch kapazitiver Lasten bezieht sich auf die Energie, die durch eine kapazitive Last in einem Stromkreis verbraucht wird. Wenn ein Wechselstrom (AC) durch einen Kondensator fließt.
Lastkapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten in einem Stromkreis, die von einer Energiequelle wie einer Batterie oder einer Steckdose bereitgestellt wird.
Ausgangssignalfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Ausgangssignalfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der sich ein Signal in einem elektrischen oder elektronischen System ändert oder schwingt.
Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge - Die Gesamtzahl der Ausgangsschaltungen bezieht sich auf die Anzahl der digitalen Ausgänge, die in einem digitalen System innerhalb eines bestimmten Zeitraums ihren Zustand von logisch hoch auf logisch niedrig oder umgekehrt ändern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Lastkapazität: 22.54 Mikrofarad --> 2.254E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Versorgungsspannung: 1.6 Volt --> 1.6 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangssignalfrequenz: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge: 23 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW --> 2.254E-05*1.6^2*1.1*23

Auswerten ... ...

P_l = 0.00145987072

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00145987072 Watt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00145987072 ≈ 0.00146 Watt <-- Stromverbrauch kapazitiver Last

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung Formel

Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge
P_l = C_l*V_cc^2*f_o*N_SW

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