Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов
Pl = Cl*Vcc^2*fo*NSW
В этой формуле используются 5 Переменные
Используемые переменные
Потребляемая мощность емкостной нагрузки - (Измеряется в Ватт) - Потребляемая мощность емкостной нагрузки относится к энергии, рассеиваемой емкостной нагрузкой в электрической цепи. Когда переменный ток (AC) проходит через конденсатор.
Емкость нагрузки - (Измеряется в фарада) - Емкость нагрузки относится к общей емкости, которую устройство видит на своем выходе, обычно из-за емкости подключенных нагрузок и дорожек на печатной плате (PCB).
Напряжение питания - (Измеряется в вольт) - Напряжение питания — это разность электрических потенциалов между двумя точками электрической цепи, обеспечиваемая источником энергии, например батареей или электрической розеткой.
Частота выходного сигнала - (Измеряется в Герц) - Частота выходного сигнала относится к скорости, с которой сигнал изменяется или колеблется в электрической или электронной системе.
Общее количество переключаемых выходов - Под общим количеством переключений выходов понимается количество цифровых выходов, которые меняют свое состояние с высокого логического уровня на низкий или наоборот в течение определенного периода времени в цифровой системе.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Емкость нагрузки: 22.54 Микрофарад --> 2.254E-05 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение питания: 1.6 вольт --> 1.6 вольт Конверсия не требуется
Частота выходного сигнала: 1.1 Герц --> 1.1 Герц Конверсия не требуется
Общее количество переключаемых выходов: 23 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Pl = Cl*Vcc^2*fo*NSW --> 2.254E-05*1.6^2*1.1*23
Оценка ... ...
Pl = 0.00145987072
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.00145987072 Ватт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.00145987072 0.00146 Ватт <-- Потребляемая мощность емкостной нагрузки
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда
​ Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))
Атомы примеси на единицу площади
​ Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))
Проводимость N-типа
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
Проводимость P-типа
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)
Омическая проводимость примесей
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
Коллекторный ток PNP-транзистора
​ Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина
Ток насыщения в транзисторе
​ Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия
​ Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)
Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания
​ Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов
Листовое сопротивление слоя
​ Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)
Плотность тока Отверстие
​ Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)
Сопротивление диффузного слоя
​ Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))
Примеси с собственной концентрацией
​ Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
Эффективность впрыска эмиттера
​ Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
​ Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования
​ Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)
Ток, текущий в стабилитроне
​ Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера
Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах
​ Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение
Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины
​ Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания формула

Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов
Pl = Cl*Vcc^2*fo*NSW
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!