Tension de rupture de l'émetteur collecteur Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés bipolaires

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés MOS

✖La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.ⓘ Tension de rupture de la base du collecteur [V_cb]			+10% -10%
✖Le gain de courant du BJT est utilisé pour décrire les propriétés d'amplification du transistor. Il indique dans quelle mesure le courant du collecteur est amplifié par rapport au courant de base.ⓘ Gain actuel du BJT [i_g]			+10% -10%
✖Le numéro racine représente une constante ou un facteur associé au transistor.ⓘ Numéro racine [n]			+10% -10%

✖La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.ⓘ Tension de rupture de l'émetteur collecteur [V_ce]

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Formule

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Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Formule

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Exemple

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

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Tension de rupture de l'émetteur collecteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Tension de rupture de la base du collecteur - (Mesuré en Volt) - La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Gain actuel du BJT - (Mesuré en Volt) - Le gain de courant du BJT est utilisé pour décrire les propriétés d'amplification du transistor. Il indique dans quelle mesure le courant du collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Numéro racine - Le numéro racine représente une constante ou un facteur associé au transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de rupture de la base du collecteur: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Aucune conversion requise
Gain actuel du BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Aucune conversion requise
Numéro racine: 2 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Évaluer ... ...

V_ce = 2.10360235242853

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.10360235242853 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés bipolaires » Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 24 Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Résistance du parallélépipède rectangulaire

Aller Résistance = ((Résistivité*Épaisseur de couche)/(Largeur de la couche diffusée*Longueur de la couche diffusée))*(ln(Largeur du rectangle inférieur/Longueur du rectangle inférieur)/(Largeur du rectangle inférieur-Longueur du rectangle inférieur))

Atomes d'impuretés par unité de surface

Aller Impureté totale = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique))

Conductivité de type P

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)

Conductivité de type N

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Capacité de base du collecteur

Aller Capacité de base du collecteur = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse)))

Courant du collecteur étant donné la tension base-émetteur

Aller Courant collecteur dans les BJT = Taux de transfert actuel*Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))

Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

Aller Transconductance dans MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange)

Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur

Aller Courant de l'émetteur = Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))

Conductivité ohmique des impuretés

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Courant collecteur du transistor PNP

Aller Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Aller Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)

Courant de saturation dans le transistor

Aller Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale

Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation

Aller Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation

Résistance de la feuille de couche

Aller Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)

Résistance de la couche diffusée

Aller Résistance = (1/Conductivité Ohmique)*(Longueur de la couche diffusée/(Largeur de la couche diffusée*Épaisseur de couche))

Trou de densité actuelle

Aller Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)

Impureté à concentration intrinsèque

Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d'injection de l'émetteur

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)

Courant circulant dans la diode Zener

Aller Courant de diode = (Tension de référence d'entrée-Tension de sortie stable)/Résistance Zener

Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés

Aller Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée

Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Aller Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)

Temps de transit du transistor PNP

Aller Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur Formule

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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