Concentration de trous dans la bande de Valence Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖La densité d'état effective dans la bande de Valence est définie comme la bande d'orbitales d'électrons à partir de laquelle les électrons peuvent sauter, se déplaçant dans la bande de conduction lorsqu'ils sont excités.ⓘ Densité effective d'état dans la bande de Valence [N_v]			+10% -10%
✖La fonction de Fermi est définie comme un terme utilisé pour décrire le sommet de la collection des niveaux d'énergie des électrons à la température du zéro absolu.ⓘ Fonction de Fermi [f_E]			+10% -10%

✖La concentration de trous dans la bande de valence fait référence à la quantité ou à l'abondance de trous présents dans la bande de valence d'un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration de trous dans la bande de Valence [p₀]

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Formule

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Concentration de trous dans la bande de Valence

Formule

`"p"_{"0"} = "N"_{"v"}*(1-"f"_{"E"})`

Exemple

`"2.3E^11/m³"="2.4e11/m³"*(1-"0.022")`

Calculatrice

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Concentration de trous dans la bande de Valence Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration de trous dans la bande de cantonnière - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de trous dans la bande de valence fait référence à la quantité ou à l'abondance de trous présents dans la bande de valence d'un matériau semi-conducteur.
Densité effective d'état dans la bande de Valence - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité d'état effective dans la bande de Valence est définie comme la bande d'orbitales d'électrons à partir de laquelle les électrons peuvent sauter, se déplaçant dans la bande de conduction lorsqu'ils sont excités.
Fonction de Fermi - La fonction de Fermi est définie comme un terme utilisé pour décrire le sommet de la collection des niveaux d'énergie des électrons à la température du zéro absolu.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité effective d'état dans la bande de Valence: 240000000000 1 par mètre cube --> 240000000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Fonction de Fermi: 0.022 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Évaluer ... ...

p₀ = 234720000000

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

234720000000 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 par mètre cube <-- Concentration de trous dans la bande de cantonnière

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 20 Bande d'énergie Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))

Durée de vie du transporteur

Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))

Concentration d'électrons à l'état d'équilibre

Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs

Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb

Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)

Durée de vie de la recombinaison

Aller Durée de vie de la recombinaison = (Proportionnalité pour la recombinaison*Concentration de trous dans la bande de cantonnière)^-1

Concentration dans la bande de conduction

Aller Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi

Densité effective d'état

Aller Densité effective d'état dans la bande de conduction = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Fonction de Fermi

Fonction Fermi

Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction

État de densité efficace dans la bande de Valence

Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)

Concentration de trous dans la bande de Valence

Aller Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)

Coefficient de distribution

Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide

Concentration liquide

Aller Concentration d'impuretés dans le liquide = Concentration d'impuretés dans le solide/Coefficient de répartition

Taux net de changement dans la bande de conduction

Aller Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)

Taux de génération thermique

Aller Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)

Concentration excessive de porteurs

Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison

Taux de génération optique

Aller Taux de génération optique = Concentration excessive de porteurs/Durée de vie de la recombinaison

Énergie de la bande de Valence

Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique

Énergie de bande de conduction

Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence

Déficit énergétique

Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence

Énergie photoélectronique

Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Concentration de trous dans la bande de Valence Formule

Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)

La bande de valence contient-elle des trous ?

Les trous résident dans la bande de valence, un niveau en dessous de la bande de conduction. Le dopage avec un accepteur d'électrons, un atome qui peut accepter un électron, crée un déficit d'électrons, de même qu'un excès de trous. Comme les trous sont porteurs de charge positive, un dopant accepteur d'électrons est également appelé dopant de type P.

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