Concentração de Buracos na Banda de Valência Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖A densidade efetiva de estado na banda de valência é definida como a banda de orbitais de elétrons da qual os elétrons podem pular, movendo-se para a banda de condução quando excitados.ⓘ Densidade efetiva de estado na banda de valência [N_v]			+10% -10%
✖A função de Fermi é definida como um termo usado para descrever o topo da coleção de níveis de energia de elétrons na temperatura do zero absoluto.ⓘ Função Fermi [f_E]			+10% -10%

✖A concentração de buracos na banda de valência refere-se à quantidade ou abundância de buracos presentes na banda de valência de um material semicondutor.ⓘ Concentração de Buracos na Banda de Valência [p₀]

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Fórmula

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Concentração de Buracos na Banda de Valência

Fórmula

`"p"_{"0"} = "N"_{"v"}*(1-"f"_{"E"})`

Exemplo

`"2.3E^11/m³"="2.4e11/m³"*(1-"0.022")`

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Concentração de Buracos na Banda de Valência Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração de Buracos na Banda de Valência - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de buracos na banda de valência refere-se à quantidade ou abundância de buracos presentes na banda de valência de um material semicondutor.
Densidade efetiva de estado na banda de valência - (Medido em 1 por metro cúbico) - A densidade efetiva de estado na banda de valência é definida como a banda de orbitais de elétrons da qual os elétrons podem pular, movendo-se para a banda de condução quando excitados.
Função Fermi - A função de Fermi é definida como um termo usado para descrever o topo da coleção de níveis de energia de elétrons na temperatura do zero absoluto.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Densidade efetiva de estado na banda de valência: 240000000000 1 por metro cúbico --> 240000000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Função Fermi: 0.022 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Avaliando ... ...

p₀ = 234720000000

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

234720000000 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 por metro cúbico <-- Concentração de Buracos na Banda de Valência

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

Concentração de elétrons em estado estacionário

Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso

Energia do elétron dada a constante de Coulomb

Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)

Tempo de vida de recombinação

Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Concentração de Buracos na Banda de Valência

Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)

Concentração na Banda de Condução

Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi

Densidade Efetiva de Estado

Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Concentração Líquida

Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição

Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução

Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Taxa de Geração Térmica

Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Taxa de geração óptica

Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação

Energia da Banda de Valência

Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Diferença de energia

Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Concentração de Buracos na Banda de Valência Fórmula

Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)

A banda de valência contém buracos?

Buracos residem na banda de valência, um nível abaixo da banda de condução. A dopagem com um aceptor de elétrons, um átomo que pode aceitar um elétron, cria uma deficiência de elétrons, o mesmo que um excesso de lacunas. Como os buracos são portadores de carga positiva, um dopante aceptor de elétrons também é conhecido como dopante do tipo P.

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