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Calculadora Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia

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Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores Unión SSD

✖La densidad de estado efectiva en la banda de valencia se define como la banda de orbitales de electrones de la que los electrones pueden saltar y pasar a la banda de conducción cuando se excitan.ⓘ Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia [N_v]			+10% -10%
✖La función de Fermi se define como un término utilizado para describir la parte superior de la colección de niveles de energía de electrones a temperatura cero absoluta.ⓘ Función de Fermi [f_E]			+10% -10%

✖La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.ⓘ Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia [p₀]

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Fórmula

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Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia

Fórmula

p 0 = N v \cdot (1 - f E)

Ejemplo

2.3E+11 /m³ = 2.4e11 /m³ \cdot (1 - 0.022)

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Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de agujeros en la banda de cenefa - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.
Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad de estado efectiva en la banda de valencia se define como la banda de orbitales de electrones de la que los electrones pueden saltar y pasar a la banda de conducción cuando se excitan.
Función de Fermi - La función de Fermi se define como un término utilizado para describir la parte superior de la colección de niveles de energía de electrones a temperatura cero absoluta.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia: 240000000000 1 por metro cúbico --> 240000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Función de Fermi: 0.022 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Evaluar ... ...

p₀ = 234720000000

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

234720000000 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 por metro cúbico <-- Concentración de agujeros en la banda de cenefa

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Concentración de electrones en estado estacionario

Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Energía de la banda de valencia

Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Brecha de energía

Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia Fórmula

Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)

¿La banda de valencia contiene agujeros?

Los agujeros residen en la banda de valencia, un nivel por debajo de la banda de conducción. El dopaje con un aceptor de electrones, un átomo que puede aceptar un electrón, crea una deficiencia de electrones, lo mismo que un exceso de huecos. Dado que los huecos son portadores de carga positiva, un dopante aceptor de electrones también se conoce como dopante tipo P.

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