Concentratie van gaten in de valentieband Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.ⓘ Effectieve staatsdichtheid in valentieband [N_v]			+10% -10%
✖Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.ⓘ Fermi-functie [f_E]			+10% -10%

✖Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Concentratie van gaten in de valentieband [p₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Concentratie van gaten in de valentieband

Formule

`"p"_{"0"} = "N"_{"v"}*(1-"f"_{"E"})`

Voorbeeld

`"2.3E^11/m³"="2.4e11/m³"*(1-"0.022")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Concentratie van gaten in de valentieband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gaten Concentratie in Valance Band - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.
Effectieve staatsdichtheid in valentieband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.
Fermi-functie - Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve staatsdichtheid in valentieband: 240000000000 1 per kubieke meter --> 240000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Fermi-functie: 0.022 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Evalueren ... ...

p₀ = 234720000000

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

234720000000 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 per kubieke meter <-- Gaten Concentratie in Valance Band

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Concentratie van gaten in de valentieband

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Concentratie van gaten in de valentieband Formule

Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)
p₀ = N_v*(1-f_E)

Bevat de valentieband gaten?

Gaten bevinden zich in de valentieband, een niveau onder de geleidingsband. Doping met een elektronenacceptor, een atoom dat een elektron kan accepteren, creëert een tekort aan elektronen, net als een teveel aan gaten. Omdat gaten positieve ladingsdragers zijn, is een doteerstof voor elektronenacceptor ook bekend als een doteerstof van het P-type.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!