Konzentration von Löchern im Valenzband Taschenrechner

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✖Die effektive Zustandsdichte im Valenzband ist definiert als das Band von Elektronenorbitalen, aus dem Elektronen bei Anregung herausspringen und in das Leitungsband gelangen können.ⓘ Effektive Zustandsdichte im Valenzband [N_v]			+10% -10%
✖Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.ⓘ Fermi-Funktion [f_E]			+10% -10%

✖Die Lochkonzentration im Valenzband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit der im Valenzband eines Halbleitermaterials vorhandenen Löcher.ⓘ Konzentration von Löchern im Valenzband [p₀]

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Formel

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Konzentration von Löchern im Valenzband

Formel

`"p"_{"0"} = "N"_{"v"}*(1-"f"_{"E"})`

Beispiel

`"2.3E^11/m³"="2.4e11/m³"*(1-"0.022")`

Taschenrechner

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Konzentration von Löchern im Valenzband Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Lochkonzentration im Volantband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Lochkonzentration im Valenzband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit der im Valenzband eines Halbleitermaterials vorhandenen Löcher.
Effektive Zustandsdichte im Valenzband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die effektive Zustandsdichte im Valenzband ist definiert als das Band von Elektronenorbitalen, aus dem Elektronen bei Anregung herausspringen und in das Leitungsband gelangen können.
Fermi-Funktion - Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Effektive Zustandsdichte im Valenzband: 240000000000 1 pro Kubikmeter --> 240000000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Fermi-Funktion: 0.022 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Auswerten ... ...

p₀ = 234720000000

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

234720000000 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 pro Kubikmeter <-- Lochkonzentration im Volantband

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante

Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Steady-State-Elektronenkonzentration

Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration

Flüssigkeitskonzentration

Gehen Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verteilungskoeffizient

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Rekombinationslebensdauer

Gehen Rekombinationslebensdauer = (Verhältnismäßigkeit für Rekombination*Lochkonzentration im Volantband)^-1

Nettoänderungsrate im Leitungsband

Gehen Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

Konzentration von Löchern im Valenzband Formel

Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)
p₀ = N_v*(1-f_E)

Enthält das Valenzband Löcher?

Löcher befinden sich im Valenzband, eine Ebene unterhalb des Leitungsbandes. Die Dotierung mit einem Elektronenakzeptor, einem Atom, das ein Elektron aufnehmen kann, erzeugt einen Mangel an Elektronen, ebenso wie einen Überschuss an Löchern. Da Löcher positive Ladungsträger sind, wird ein Elektronenakzeptor-Dotierstoff auch als P-Typ-Dotierstoff bezeichnet.

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