Concentrazione dei buchi nella banda di valenza calcolatrice

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✖La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.ⓘ Densità di stato effettiva in banda di valenza [N_v]			+10% -10%
✖La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.ⓘ Funzione di Fermi [f_E]			+10% -10%

✖La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei buchi nella banda di valenza [p₀]

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Formula

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Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Formula

`"p"_{"0"} = "N"_{"v"}*(1-"f"_{"E"})`

Esempio

`"2.3E^11/m³"="2.4e11/m³"*(1-"0.022")`

Calcolatrice

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Concentrazione dei buchi nella banda di valenza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.
Densità di stato effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.
Funzione di Fermi - La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità di stato effettiva in banda di valenza: 240000000000 1 per metro cubo --> 240000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Funzione di Fermi: 0.022 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Valutare ... ...

p₀ = 234720000000

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

234720000000 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 per metro cubo <-- Concentrazione dei buchi nella banda di Valance

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza Formula

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)

La banda di valenza contiene dei buchi?

I fori risiedono nella banda di valenza, un livello al di sotto della banda di conduzione. Il drogaggio con un accettore di elettroni, un atomo che può accettare un elettrone, crea una carenza di elettroni, come un eccesso di lacune. Poiché i buchi sono portatori di carica positivi, un drogante accettore di elettroni è anche noto come drogante di tipo P.

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