Coefficient de diffusion de l'électron Calculatrice

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✖La mobilité de l'électron est définie comme la vitesse de dérive de l'électron par unité de champ électrique.ⓘ Mobilité de l'électron [μ_e]			+10% -10%
✖La température absolue représente la température du système.ⓘ Température absolue [T]			+10% -10%

✖Le coefficient de diffusion électronique est une mesure de la facilité du mouvement des électrons à travers le réseau cristallin. Elle est liée à la mobilité du porteur, en l'occurrence l'électron.ⓘ Coefficient de diffusion de l'électron [D_E]

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Formule

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Coefficient de diffusion de l'électron

Formule

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Exemple

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

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Coefficient de diffusion de l'électron Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Coefficient de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*[BoltZ]*Température absolue/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Cette formule utilise 2 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23

Variables utilisées

Coefficient de diffusion électronique - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - Le coefficient de diffusion électronique est une mesure de la facilité du mouvement des électrons à travers le réseau cristallin. Elle est liée à la mobilité du porteur, en l'occurrence l'électron.
Mobilité de l'électron - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité de l'électron est définie comme la vitesse de dérive de l'électron par unité de champ électrique.
Température absolue - (Mesuré en Kelvin) - La température absolue représente la température du système.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité de l'électron: 1000 Centimètre carré par volt seconde --> 0.1 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Température absolue: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Évaluer ... ...

D_E = 0.00338661082421737

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00338661082421737 Mètre carré par seconde --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Mètre carré par seconde <-- Coefficient de diffusion électronique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka G. Chalikar

L'Institut National d'Ingénierie (NIE), Mysore

Priyanka G. Chalikar a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 14 Appareils avec composants optiques Calculatrices

Capacité de jonction PN

Aller Capacité de jonction = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs)))

Concentration d'électrons dans des conditions déséquilibrées

Aller Concentration d'électrons = Concentration électronique intrinsèque*exp((Niveau d'électrons quasi-fermi-Niveau d'énergie intrinsèque du semi-conducteur)/([BoltZ]*Température absolue))

Longueur de diffusion de la région de transition

Aller Longueur de diffusion de la région de transition = Courant optique/(Charge*Zone de jonction PN*Taux de génération optique)-(Largeur de transition+Longueur de la jonction côté P)

Courant dû à la porteuse générée optiquement

Aller Courant optique = Charge*Zone de jonction PN*Taux de génération optique*(Largeur de transition+Longueur de diffusion de la région de transition+Longueur de la jonction côté P)

Retard de pointe

Aller Retard de pointe = (2*pi)/Longueur d'onde de la lumière*Longueur de fibre*Indice de réfraction^3*Tension de modulation

Angle d'acceptation maximum de la lentille composée

Aller Angle d'acceptation = asin(Indice de réfraction du milieu 1*Rayon de la lentille*sqrt(Constante positive))

Densité effective d'états dans la bande de conduction

Aller Densité effective d'États = 2*(2*pi*Masse effective d'électrons*[BoltZ]*Température absolue/[hP]^2)^(3/2)

Coefficient de diffusion de l'électron

Aller Coefficient de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*[BoltZ]*Température absolue/[Charge-e]

Diffraction utilisant la formule de Fresnel-Kirchoff

Aller Angle de diffraction = asin(1.22*Longueur d'onde de la lumière visible/Diamètre d'ouverture)

Espacement des franges compte tenu de l'angle au sommet

Aller Espace marginal = Longueur d'onde de la lumière visible/(2*tan(Angle d'interférence))

Angle des brasseurs

Aller Angle de Brewster = arctan(Indice de réfraction du milieu 1/Indice de réfraction)

Énergie d'excitation

Aller Énergie d'excitation = 1.6*10^-19*13.6*(Masse effective d'électrons/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Angle de rotation du plan de polarisation

Aller Angle de rotation = 1.8*Densité du flux magnétique*Longueur du milieu

Angle de l'apex

Aller Angle au sommet = tan(Alpha)

Coefficient de diffusion de l'électron Formule

Coefficient de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*[BoltZ]*Température absolue/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

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