Diffusiecoëfficiënt van elektron Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Apparaten met optische componenten

Fotonica-apparaten

Lasers

✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de driftsnelheid van het elektron per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van elektronen [μ_e]			+10% -10%
✖Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.ⓘ Absolute temperatuur [T]			+10% -10%

✖De elektronendiffusiecoëfficiënt is een maatstaf voor het gemak van elektronenbeweging door het kristalrooster. Het houdt verband met de mobiliteit van de drager, in dit geval het elektron.ⓘ Diffusiecoëfficiënt van elektron [D_E]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Diffusiecoëfficiënt van elektron

Formule

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Voorbeeld

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Apparaten met optische componenten Formules Pdf PDF Image

Diffusiecoëfficiënt van elektron Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektronendiffusiecoëfficiënt = Mobiliteit van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Variabelen gebruikt

Elektronendiffusiecoëfficiënt - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - De elektronendiffusiecoëfficiënt is een maatstaf voor het gemak van elektronenbeweging door het kristalrooster. Het houdt verband met de mobiliteit van de drager, in dit geval het elektron.
Mobiliteit van elektronen - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de driftsnelheid van het elektron per eenheid elektrisch veld.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van elektronen: 1000 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.1 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Evalueren ... ...

D_E = 0.00338661082421737

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00338661082421737 Vierkante meter per seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Vierkante meter per seconde <-- Elektronendiffusiecoëfficiënt

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Opto-elektronica-apparaten » Apparaten met optische componenten » Diffusiecoëfficiënt van elektron

Credits

Gemaakt door Priyanka G Chalikar

Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 14 Apparaten met optische componenten Rekenmachines

PN-verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie)))

Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden

Gaan Elektronenconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Quasi Fermi-niveau van elektronen-Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Diffusielengte van overgangsgebied

Gaan Verspreidingslengte van het overgangsgebied = Optische stroom/(Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid)-(Overgangsbreedte+Lengte van P-zijverbinding)

Stroom door optisch gegenereerde draaggolf

Gaan Optische stroom = Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid*(Overgangsbreedte+Verspreidingslengte van het overgangsgebied+Lengte van P-zijverbinding)

Piekvertraging

Gaan Piekvertraging = (2*pi)/Golflengte van licht*Lengte van vezels*Brekingsindex^3*Modulatie spanning

Maximale acceptatiehoek van samengestelde lens

Gaan Acceptatiehoek = asin(Brekingsindex van medium 1*Straal van lens*sqrt(Positieve constante))

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband

Gaan Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)

Diffusiecoëfficiënt van elektron

Gaan Elektronendiffusiecoëfficiënt = Mobiliteit van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[Charge-e]

Diffractie met behulp van de Fresnel-Kirchoff-formule

Gaan Diffractiehoek = asin(1.22*Golflengte van zichtbaar licht/Diameter van diafragma)

Excitatie-energie

Gaan Excitatie-energie = 1.6*10^-19*13.6*(Effectieve massa van elektronen/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Randafstand gegeven tophoek

Gaan Randruimte = Golflengte van zichtbaar licht/(2*tan(Hoek van interferentie))

Brewsters hoek

Gaan Brewsters Hoek = arctan(Brekingsindex van medium 1/Brekingsindex)

Rotatiehoek van het polarisatievlak

Gaan Hoek van rotatie = 1.8*Magnetische fluxdichtheid*Lengte van gemiddeld

Apex-hoek

Gaan Tophoek = tan(Alfa)

Diffusiecoëfficiënt van elektron Formule

Elektronendiffusiecoëfficiënt = Mobiliteit van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!