Коэффициент диффузии электрона Калькулятор

✖Мобильность электрона определяется как скорость дрейфа электрона на единицу электрического поля.ⓘ Мобильность электрона [μ_e]			+10% -10%
✖Абсолютная температура представляет температуру системы.ⓘ Абсолютная температура [T]			+10% -10%

✖Коэффициент диффузии электронов является мерой легкости движения электронов через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае электрона.ⓘ Коэффициент диффузии электрона [D_E]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Коэффициент диффузии электрона

Формула

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Пример

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Устройства с оптическими компонентами Формулы PDF PDF Image

Коэффициент диффузии электрона Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Коэффициент диффузии электронов = Мобильность электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
В этой формуле используются 2 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23

Используемые переменные

Коэффициент диффузии электронов - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Коэффициент диффузии электронов является мерой легкости движения электронов через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае электрона.
Мобильность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Мобильность электрона определяется как скорость дрейфа электрона на единицу электрического поля.
Абсолютная температура - (Измеряется в Кельвин) - Абсолютная температура представляет температуру системы.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Мобильность электрона: 1000 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 0.1 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Абсолютная температура: 393 Кельвин --> 393 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Оценка ... ...

D_E = 0.00338661082421737

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00338661082421737 Квадратный метр в секунду --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Квадратный метр в секунду <-- Коэффициент диффузии электронов

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Оптоэлектронные устройства » Устройства с оптическими компонентами » Коэффициент диффузии электрона

Кредиты

Сделано Приянка Дж. Чаликар

Национальный инженерный институт (НИЕ), Майсуру

Приянка Дж. Чаликар создал этот калькулятор и еще 10+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 14 Устройства с оптическими компонентами Калькуляторы

Емкость PN-перехода

Идти Емкость перехода = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров)))

Концентрация электронов в несбалансированном состоянии

Идти Электронная концентрация = Собственная концентрация электронов*exp((Квазифермиевский уровень электронов-Внутренний энергетический уровень полупроводника)/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Диффузионная длина переходной области

Идти Диффузионная длина переходной области = Оптический ток/(Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации)-(Ширина перехода+Длина соединения стороны P)

Ток из-за оптически генерируемой несущей

Идти Оптический ток = Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации*(Ширина перехода+Диффузионная длина переходной области+Длина соединения стороны P)

Пиковое замедление

Идти Пиковое замедление = (2*pi)/Длина волны света*Длина волокна*Показатель преломления^3*Модуляционное напряжение

Максимальный угол приема составной линзы

Идти Угол приема = asin(Показатель преломления среды 1*Радиус линзы*sqrt(Положительная константа))

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Идти Эффективная плотность состояний = 2*(2*pi*Эффективная масса электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[hP]^2)^(3/2)

Коэффициент диффузии электрона

Идти Коэффициент диффузии электронов = Мобильность электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[Charge-e]

Угол Брюстера

Идти Угол Брюстера = arctan(Показатель преломления среды 1/Показатель преломления)

Энергия возбуждения

Идти Энергия возбуждения = 1.6*10^-19*13.6*(Эффективная масса электрона/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Дифракция с использованием формулы Френеля-Кирхгофа.

Идти Угол дифракции = asin(1.22*Длина волны видимого света/Диаметр апертуры)

Расстояние между краями с учетом угла вершины

Идти Граничное пространство = Длина волны видимого света/(2*tan(Угол помех))

Угол поворота плоскости поляризации

Идти Угол поворота = 1.8*Плотность магнитного потока*Длина среды

Угол при вершине

Идти Угол вершины = tan(Альфа)

Коэффициент диффузии электрона формула

Коэффициент диффузии электронов = Мобильность электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!