Coeficiente de difusão de elétrons Calculadora

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✖A mobilidade do elétron é definida como a velocidade de deriva do elétron por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [μ_e]			+10% -10%
✖A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.ⓘ Temperatura absoluta [T]			+10% -10%

✖O coeficiente de difusão de elétrons é uma medida da facilidade de movimento dos elétrons através da rede cristalina. Está relacionado à mobilidade do portador, neste caso o elétron.ⓘ Coeficiente de difusão de elétrons [D_E]

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Fórmula

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Coeficiente de difusão de elétrons

Fórmula

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Exemplo

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

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Coeficiente de difusão de elétrons Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Coeficiente de difusão eletrônica = Mobilidade do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Esta fórmula usa 2 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Variáveis Usadas

Coeficiente de difusão eletrônica - (Medido em Metro quadrado por segundo) - O coeficiente de difusão de elétrons é uma medida da facilidade de movimento dos elétrons através da rede cristalina. Está relacionado à mobilidade do portador, neste caso o elétron.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a velocidade de deriva do elétron por unidade de campo elétrico.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade do Elétron: 1000 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.1 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)
Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Avaliando ... ...

D_E = 0.00338661082421737

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00338661082421737 Metro quadrado por segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Metro quadrado por segundo <-- Coeficiente de difusão eletrônica

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka G. Chalikar

O Instituto Nacional de Engenharia (NÃO), Mysore

Priyanka G. Chalikar criou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 14 Dispositivos com componentes ópticos Calculadoras

Capacitância da Junção PN

Vai Capacitância de Junção = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores)))

Concentração de elétrons sob condição desequilibrada

Vai Concentração de elétrons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de elétrons quase Fermi-Nível de energia intrínseca do semicondutor)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Comprimento de difusão da região de transição

Vai Comprimento de difusão da região de transição = Corrente óptica/(Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica)-(Largura da transição+Comprimento da junção do lado P)

Corrente devido à portadora gerada opticamente

Vai Corrente óptica = Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica*(Largura da transição+Comprimento de difusão da região de transição+Comprimento da junção do lado P)

Retardo de Pico

Vai Retardo de Pico = (2*pi)/Comprimento de onda da luz*Comprimento da fibra*Índice de refração^3*Tensão de modulação

Ângulo Máximo de Aceitação da Lente Composta

Vai Ângulo de aceitação = asin(Índice de refração do meio 1*Raio da lente*sqrt(Constante Positiva))

Densidade Efetiva de Estados na Banda de Condução

Vai Densidade Efetiva de Estados = 2*(2*pi*Massa Efetiva do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[hP]^2)^(3/2)

Coeficiente de difusão de elétrons

Vai Coeficiente de difusão eletrônica = Mobilidade do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]

Difração usando a fórmula de Fresnel-Kirchoff

Vai Ângulo de difração = asin(1.22*Comprimento de onda da luz visível/Diâmetro da abertura)

Espaçamento de franja dado ângulo de vértice

Vai Espaço Franja = Comprimento de onda da luz visível/(2*tan(Ângulo de Interferência))

Ângulo Brewsters

Vai Ângulo de Brewster = arctan(Índice de refração do meio 1/Índice de refração)

Energia de excitação

Vai Energia de excitação = 1.6*10^-19*13.6*(Massa Efetiva do Elétron/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Ângulo de Rotação do Plano de Polarização

Vai Ângulo de Rotação = 1.8*Densidade do fluxo magnético*Comprimento do Médio

Ângulo Apex

Vai Ângulo do ápice = tan(Alfa)

Coeficiente de difusão de elétrons Fórmula

Coeficiente de difusão eletrônica = Mobilidade do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

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