Coefficiente di diffusione dell'elettrone calcolatrice

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✖La mobilità dell'elettrone è definita come la velocità di deriva dell'elettrone per unità di campo elettrico.ⓘ Mobilità dell'elettrone [μ_e]			+10% -10%
✖La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.ⓘ Temperatura assoluta [T]			+10% -10%

✖Il coefficiente di diffusione elettronica è una misura della facilità del movimento degli elettroni attraverso il reticolo cristallino. È legato alla mobilità del trasportatore, in questo caso l'elettrone.ⓘ Coefficiente di diffusione dell'elettrone [D_E]

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Formula

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Coefficiente di diffusione dell'elettrone

Formula

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Esempio

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

Calcolatrice

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Coefficiente di diffusione dell'elettrone Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Coefficiente di diffusione degli elettroni = Mobilità dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Questa formula utilizza 2 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23

Variabili utilizzate

Coefficiente di diffusione degli elettroni - (Misurato in Metro quadro al secondo) - Il coefficiente di diffusione elettronica è una misura della facilità del movimento degli elettroni attraverso il reticolo cristallino. È legato alla mobilità del trasportatore, in questo caso l'elettrone.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come la velocità di deriva dell'elettrone per unità di campo elettrico.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità dell'elettrone: 1000 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.1 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione qui)
Temperatura assoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Valutare ... ...

D_E = 0.00338661082421737

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00338661082421737 Metro quadro al secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Metro quadro al secondo <-- Coefficiente di diffusione degli elettroni

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka G. Chalikar

L'Istituto Nazionale di Ingegneria (NIE), Mysuru

Priyanka G. Chalikar ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 14 Dispositivi con componenti ottici Calcolatrici

Capacità di giunzione PN

Partire Capacità di giunzione = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)))

Concentrazione di elettroni in condizioni sbilanciate

Partire Concentrazione di elettroni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello di elettroni quasi Fermi-Livello energetico intrinseco del semiconduttore)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Lunghezza di diffusione della regione di transizione

Partire Lunghezza di diffusione della regione di transizione = Corrente ottica/(Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica)-(Larghezza di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)

Corrente dovuta alla portante generata otticamente

Partire Corrente ottica = Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica*(Larghezza di transizione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)

Picco di ritardo

Partire Picco di ritardo = (2*pi)/Lunghezza d'onda della luce*Lunghezza della fibra*Indice di rifrazione^3*Tensione di modulazione

Angolo di accettazione massimo della lente composta

Partire Angolo di accettazione = asin(Indice di rifrazione del mezzo 1*Raggio della lente*sqrt(Costante positiva))

Densità effettiva degli stati in banda di conduzione

Partire Densità effettiva degli Stati = 2*(2*pi*Massa effettiva dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[hP]^2)^(3/2)

Coefficiente di diffusione dell'elettrone

Partire Coefficiente di diffusione degli elettroni = Mobilità dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[Charge-e]

Diffrazione mediante la formula di Fresnel-Kirchoff

Partire Angolo di diffrazione = asin(1.22*Lunghezza d'onda della luce visibile/Diametro dell'apertura)

Spaziatura della frangia dato l'angolo dell'apice

Partire Spazio marginale = Lunghezza d'onda della luce visibile/(2*tan(Angolo di interferenza))

Angolo di Brewsters

Partire L'angolo di Brewster = arctan(Indice di rifrazione del mezzo 1/Indice di rifrazione)

Energia di eccitazione

Partire Energia di eccitazione = 1.6*10^-19*13.6*(Massa effettiva dell'elettrone/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Angolo di rotazione del piano di polarizzazione

Partire Angolo di rotazione = 1.8*Densità del flusso magnetico*Lunghezza del mezzo

Angolo dell'apice

Partire Angolo dell'apice = tan(Alfa)

Coefficiente di diffusione dell'elettrone Formula

Coefficiente di diffusione degli elettroni = Mobilità dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

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