Diffusionskoeffizient des Elektrons Taschenrechner

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✖Die Elektronenmobilität ist definiert als die Driftgeschwindigkeit des Elektrons pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [μ_e]			+10% -10%
✖Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.ⓘ Absolute Temperatur [T]			+10% -10%

✖Der Elektronendiffusionskoeffizient ist ein Maß für die Leichtigkeit der Elektronenbewegung durch das Kristallgitter. Es hängt mit der Beweglichkeit des Trägers, in diesem Fall des Elektrons, zusammen.ⓘ Diffusionskoeffizient des Elektrons [D_E]

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Formel

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Diffusionskoeffizient des Elektrons

Formel

`"D"_{"E"} = "μ"_{"e"}*"[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]"`

Beispiel

`"0.003387m²/s"="1000cm²/V*s"*"[BoltZ]"*"393K"/"[Charge-e]"`

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Diffusionskoeffizient des Elektrons Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronendiffusionskoeffizient = Mobilität des Elektrons*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23

Verwendete Variablen

Elektronendiffusionskoeffizient - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Der Elektronendiffusionskoeffizient ist ein Maß für die Leichtigkeit der Elektronenbewegung durch das Kristallgitter. Es hängt mit der Beweglichkeit des Trägers, in diesem Fall des Elektrons, zusammen.
Mobilität des Elektrons - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronenmobilität ist definiert als die Driftgeschwindigkeit des Elektrons pro elektrischer Feldeinheit.
Absolute Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mobilität des Elektrons: 1000 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.1 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Absolute Temperatur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]

Auswerten ... ...

D_E = 0.00338661082421737

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00338661082421737 Quadratmeter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00338661082421737 ≈ 0.003387 Quadratmeter pro Sekunde <-- Elektronendiffusionskoeffizient

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka G. Chalikar

Das National Institute of Engineering (NIE), Mysuru

Priyanka G. Chalikar hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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PN-Übergangskapazität

Gehen Sperrschichtkapazität = PN-Kreuzungsgebiet/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relative Permittivität*[Permitivity-silicon])/(Spannung am PN-Anschluss-(Sperrspannung))*((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)))

Elektronenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen

Gehen Elektronenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen-Eigenenergieniveau eines Halbleiters)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Diffusionslänge des Übergangsbereichs

Gehen Diffusionslänge des Übergangsbereichs = Optischer Strom/(Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate)-(Übergangsbreite+Länge der P-seitigen Kreuzung)

Strom durch optisch erzeugten Träger

Gehen Optischer Strom = Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate*(Übergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs+Länge der P-seitigen Kreuzung)

Spitzenverzögerung

Gehen Spitzenverzögerung = (2*pi)/Wellenlänge des Lichts*Länge der Faser*Brechungsindex^3*Modulationsspannung

Maximaler Akzeptanzwinkel der zusammengesetzten Linse

Gehen Akzeptanzwinkel = asin(Brechungsindex des Mediums 1*Radius der Linse*sqrt(Positive Konstante))

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Gehen Effektive Staatendichte = 2*(2*pi*Effektive Elektronenmasse*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[hP]^2)^(3/2)

Diffusionskoeffizient des Elektrons

Gehen Elektronendiffusionskoeffizient = Mobilität des Elektrons*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[Charge-e]

Beugung mit der Fresnel-Kirchoff-Formel

Gehen Beugungswinkel = asin(1.22*Wellenlänge des sichtbaren Lichts/Durchmesser der Blende)

Streifenabstand bei gegebenem Scheitelwinkel

Gehen Randraum = Wellenlänge des sichtbaren Lichts/(2*tan(Interferenzwinkel))

Anregungsenergie

Gehen Anregungsenergie = 1.6*10^-19*13.6*(Effektive Elektronenmasse/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Brewsters Winkel

Gehen Brewsters Winkel = arctan(Brechungsindex des Mediums 1/Brechungsindex)

Drehwinkel der Polarisationsebene

Gehen Drehwinkel = 1.8*Magnetflußdichte*Länge des Mediums

Scheitelwinkel

Gehen Spitzenwinkel = tan(Alpha)

Diffusionskoeffizient des Elektrons Formel

Elektronendiffusionskoeffizient = Mobilität des Elektrons*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[Charge-e]
D_E = μ_e*[BoltZ]*T/[Charge-e]

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