Calculatrice A à Z
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Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI Calculatrice
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Optimisation des matériaux VLSI
Conception VLSI analogique
✖
Le courant de drain est le courant circulant de la source à la borne de drain sous l'influence de la tension appliquée à la borne de grille.
ⓘ
Courant de vidange [I
D
]
abampère
Ampère
Attoampère
Biot
centiampère
CGS EM
Unité CGS ES
Déciampère
Dékaampère
UEM de courant
ESU de courant
Exaampère
Femtoampère
Gigaampère
Gilbert
Hectoampère
Kiloampère
Mégaampère
Microampère
Milliampère
Nanoampère
Petaampère
Picoampère
Statampere
Téraampère
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampère
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
ⓘ
Facteur d'échelle [Sf]
+10%
-10%
✖
Le courant de drain après mise à l'échelle complète est défini comme une valeur de courant de drain après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète.
ⓘ
Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI [I
D
']
abampère
Ampère
Attoampère
Biot
centiampère
CGS EM
Unité CGS ES
Déciampère
Dékaampère
UEM de courant
ESU de courant
Exaampère
Femtoampère
Gigaampère
Gilbert
Hectoampère
Kiloampère
Mégaampère
Microampère
Milliampère
Nanoampère
Petaampère
Picoampère
Statampere
Téraampère
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampère
Zettaampere
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI
Formule
`("I"_{"D"}"'") = "I"_{"D"}/"Sf"`
Exemple
`"0.710667mA"="1.066mA"/"1.5"`
Calculatrice
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Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de drainage après mise à l'échelle complète
=
Courant de vidange
/
Facteur d'échelle
I
D
'
=
I
D
/
Sf
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Courant de drainage après mise à l'échelle complète
-
(Mesuré en Ampère)
- Le courant de drain après mise à l'échelle complète est défini comme une valeur de courant de drain après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète.
Courant de vidange
-
(Mesuré en Ampère)
- Le courant de drain est le courant circulant de la source à la borne de drain sous l'influence de la tension appliquée à la borne de grille.
Facteur d'échelle
- Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de vidange:
1.066 Milliampère --> 0.001066 Ampère
(Vérifiez la conversion
ici
)
Facteur d'échelle:
1.5 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
I
D
' = I
D
/Sf -->
0.001066/1.5
Évaluer ... ...
I
D
'
= 0.000710666666666667
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.000710666666666667 Ampère -->0.710666666666667 Milliampère
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
0.710666666666667
≈
0.710667 Milliampère
<--
Courant de drainage après mise à l'échelle complète
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
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Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices
Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller
Densité de charge de la région d'épuisement global
= -(1-((
Étendue latérale de la région d'épuisement avec source
+
Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain
)/(2*
Longueur du canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentration d'accepteur
*
abs
(2*
Potentiel des surfaces
))
Coefficient d'effet corporel
Aller
Coefficient d'effet corporel
=
modulus
((
Tension de seuil
-
Tension de seuil DIBL
)/(
sqrt
(
Potentiel des surfaces
+(
Différence potentielle du corps source
))-
sqrt
(
Potentiel des surfaces
)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller
Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tension intégrée de jonction
)/(
[Charge-e]
*
Concentration d'accepteur
))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller
Tension intégrée de jonction
= (
[BoltZ]
*
Température
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentration d'accepteur
*
Concentration des donneurs
/(
Concentration intrinsèque
)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller
Capacité parasite de la source
= (
Capacité entre la jonction du corps et la source
*
Zone de diffusion de la source
)+(
Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale
*
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source
)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller
Courant de saturation des canaux courts
=
Largeur de canal
*
Vitesse de dérive des électrons de saturation
*
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller
Courant de jonction
= (
Puissance statique
/
Tension du collecteur de base
)-(
Courant sous-seuil
+
Conflit actuel
+
Courant de porte
)
Potentiel de surface
Aller
Potentiel des surfaces
= 2*
Différence potentielle du corps source
*
ln
(
Concentration d'accepteur
/
Concentration intrinsèque
)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller
Longueur de la porte
=
Capacité de porte
/(
Capacité de la couche d'oxyde de grille
*
Largeur du portail
)
Capacité d'oxyde de porte
Aller
Capacité de la couche d'oxyde de grille
=
Capacité de porte
/(
Largeur du portail
*
Longueur de la porte
)
Coefficient DIBL
Aller
Coefficient DIBL
= (
Tension de seuil DIBL
-
Tension de seuil
)/
Potentiel de drainage vers la source
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller
Tension de seuil DIBL
=
Coefficient DIBL
*
Potentiel de drainage vers la source
+
Tension de seuil
Pente sous-seuil
Aller
Pente sous-seuil
=
Différence potentielle du corps source
*
Coefficient DIBL
*
ln
(10)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
=
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète
=
Épaisseur d'oxyde de porte
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte
Aller
Capacité de porte
=
Frais de canal
/(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Tension de seuil
Aller
Tension de seuil
=
Tension porte à canal
-(
Frais de canal
/
Capacité de porte
)
Charge de canal
Aller
Frais de canal
=
Capacité de porte
*(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète
=
Profondeur de jonction
/
Facteur d'échelle
Tension critique
Aller
Tension critique
=
Champ électrique critique
*
Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Longueur du canal après mise à l'échelle complète
=
Longueur du canal
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller
Capacité de chevauchement de porte MOS
=
Capacité de la porte MOS
*
Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Largeur du canal après mise à l'échelle complète
=
Largeur de canal
/
Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller
Mobilité dans MOSFET
=
K Premier
/
Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller
K Premier
=
Mobilité dans MOSFET
*
Capacité de la couche d'oxyde de grille
Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI Formule
Courant de drainage après mise à l'échelle complète
=
Courant de vidange
/
Facteur d'échelle
I
D
'
=
I
D
/
Sf
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