Calculadora A a Z
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Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI Calculadora
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
Corrente de dreno é a corrente que flui da fonte para o terminal de dreno sob a influência da tensão aplicada ao terminal da porta.
ⓘ
Corrente de drenagem [I
D
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
unidade CGS ES
Deciampere
Dekaampere
EMU De Corrente
ESU da atual
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hectoampere
Quiloampere
Megaampere
Microampère
Miliamperes
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ⓘ
Fator de escala [Sf]
+10%
-10%
✖
Corrente de drenagem após escala completa é definida como um valor de corrente de drenagem após a redução nas dimensões do MOSFET pela escala completa.
ⓘ
Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI [I
D
']
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
unidade CGS ES
Deciampere
Dekaampere
EMU De Corrente
ESU da atual
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hectoampere
Quiloampere
Megaampere
Microampère
Miliamperes
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
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Degraus
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Fórmula
✖
Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI
Fórmula
`("I"_{"D"}"'") = "I"_{"D"}/"Sf"`
Exemplo
`"0.710667mA"="1.066mA"/"1.5"`
Calculadora
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Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de drenagem após escala completa
=
Corrente de drenagem
/
Fator de escala
I
D
'
=
I
D
/
Sf
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de drenagem após escala completa
-
(Medido em Ampere)
- Corrente de drenagem após escala completa é definida como um valor de corrente de drenagem após a redução nas dimensões do MOSFET pela escala completa.
Corrente de drenagem
-
(Medido em Ampere)
- Corrente de dreno é a corrente que flui da fonte para o terminal de dreno sob a influência da tensão aplicada ao terminal da porta.
Fator de escala
- O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Corrente de drenagem:
1.066 Miliamperes --> 0.001066 Ampere
(Verifique a conversão
aqui
)
Fator de escala:
1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
I
D
' = I
D
/Sf -->
0.001066/1.5
Avaliando ... ...
I
D
'
= 0.000710666666666667
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.000710666666666667 Ampere -->0.710666666666667 Miliamperes
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
0.710666666666667
≈
0.710667 Miliamperes
<--
Corrente de drenagem após escala completa
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Otimização de materiais VLSI
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Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensão interna de junção
)/(
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai
Fonte de capacitância parasita
= (
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte
*
Área de Difusão de Fonte
)+(
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral
*
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai
Corrente de saturação de canal curto
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai
Corrente de Junção
= (
Potência Estática
/
Tensão do Coletor Base
)-(
Corrente Sublimiar
+
Corrente de contenção
+
Corrente do portão
)
Potencial de Superfície
Vai
Potencial de Superfície
= 2*
Diferença potencial do corpo de origem
*
ln
(
Concentração do aceitante
/
Concentração Intrínseca
)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai
Comprimento do portão
=
Capacitância do portão
/(
Capacitância da camada de óxido de porta
*
Largura do portão
)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai
Capacitância da camada de óxido de porta
=
Capacitância do portão
/(
Largura do portão
*
Comprimento do portão
)
Capacitância da porta
Vai
Capacitância do portão
=
Taxa de canal
/(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
Vai
Tensão de limiar
=
Tensão do portão para o canal
-(
Taxa de canal
/
Capacitância do portão
)
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai
Tensão Limite DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar para Potencial de Fonte
+
Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
Vai
Inclinação Sublimiar
=
Diferença potencial do corpo de origem
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai
Espessura do óxido de porta após escala completa
=
Espessura do Óxido de Porta
/
Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS
=
Capacitância da Porta MOS
*
Largura da transição
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai
Profundidade da junção após escala completa
=
Profundidade da Junção
/
Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Comprimento do canal após escala completa
=
Comprimento do canal
/
Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Largura do canal após escala completa
=
Largura de banda
/
Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai
Mobilidade em MOSFET
=
K Prime
/
Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
Vai
K Prime
=
Mobilidade em MOSFET
*
Capacitância da camada de óxido de porta
Corrente de drenagem após Full Scaling VLSI Fórmula
Corrente de drenagem após escala completa
=
Corrente de drenagem
/
Fator de escala
I
D
'
=
I
D
/
Sf
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