Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung

Analoges VLSI-Design

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der unter dem Einfluss der am Gate-Anschluss angelegten Spannung vom Source- zum Drain-Anschluss fließt.ⓘ Stromverbrauch [I_D]			+10% -10%
✖Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.ⓘ Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor [Sf]			+10% -10%

✖Der Drainstrom nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Drainstromwert nach der Verringerung der MOSFET-Abmessungen durch vollständige Skalierung.ⓘ Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI [I_D']

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Formel

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Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI

Formel

`("I"_{"D"}"'") = "I"_{"D"}/"Sf"`

Beispiel

`"0.710667mA"="1.066mA"/"1.5"`

Taschenrechner

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Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung = Stromverbrauch/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
I_D' = I_D/Sf
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Drainstromwert nach der Verringerung der MOSFET-Abmessungen durch vollständige Skalierung.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der unter dem Einfluss der am Gate-Anschluss angelegten Spannung vom Source- zum Drain-Anschluss fließt.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Stromverbrauch: 1.066 Milliampere --> 0.001066 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_D' = I_D/Sf --> 0.001066/1.5

Auswerten ... ...

I_D' = 0.000710666666666667

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000710666666666667 Ampere -->0.710666666666667 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.710666666666667 ≈ 0.710667 Milliampere <-- Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))

Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

Anschluss integrierte Spannung VLSI

Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)

Verbindungsstrom

Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung

Oberflächenpotential

Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)

Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Steilheit unter der Schwelle

Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt

Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung

Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)

Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)

Gate-Kapazität

Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Grenzspannung

Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)

Kanalladung

Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Eigene Gate-Kapazität

Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite

Mobilität in Mosfet

Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht

K-Prime

Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Formel

Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung = Stromverbrauch/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
I_D' = I_D/Sf

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