Énergie d'excitation Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Appareils avec composants optiques

Appareils photoniques

Lasers

✖La masse effective d'électrons est un concept utilisé en physique du solide pour décrire le comportement des électrons dans un réseau cristallin ou un matériau semi-conducteur.ⓘ Masse effective d'électrons [m_eff]

+10%

-10%

✖L'énergie d'excitation est l'énergie nécessaire pour exciter un électron de la bande de valence vers la bande de conduction.ⓘ Énergie d'excitation [E_exc]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Énergie d'excitation

Formule

`"E"_{"exc"} = 1.6*10^-19*13.6*("m"_{"eff"}/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Exemple

`"0.021783eV"=1.6*10^-19*13.6*("0.2e-30kg"/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Appareils avec composants optiques Formules PDF PDF Image

Énergie d'excitation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Énergie d'excitation = 1.6*10^-19*13.6*(Masse effective d'électrons/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Cette formule utilise 2 Constantes, 2 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Mass-e] - Masse d'électron Valeur prise comme 9.10938356E-31

Variables utilisées

Énergie d'excitation - (Mesuré en Joule) - L'énergie d'excitation est l'énergie nécessaire pour exciter un électron de la bande de valence vers la bande de conduction.
Masse effective d'électrons - (Mesuré en Kilogramme) - La masse effective d'électrons est un concept utilisé en physique du solide pour décrire le comportement des électrons dans un réseau cristallin ou un matériau semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Masse effective d'électrons: 2E-31 Kilogramme --> 2E-31 Kilogramme Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2) --> 1.6*10^-19*13.6*(2E-31/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Évaluer ... ...

E_exc = 3.49002207792288E-21

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.49002207792288E-21 Joule -->0.0217829950066942 Électron-volt (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0217829950066942 ≈ 0.021783 Électron-volt <-- Énergie d'excitation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Appareils optoélectroniques » Appareils avec composants optiques » Énergie d'excitation

Crédits

Créé par Priyanka G. Chalikar

L'Institut National d'Ingénierie (NIE), Mysore

Priyanka G. Chalikar a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 14 Appareils avec composants optiques Calculatrices

Capacité de jonction PN

Aller Capacité de jonction = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs)))

Concentration d'électrons dans des conditions déséquilibrées

Aller Concentration d'électrons = Concentration électronique intrinsèque*exp((Niveau d'électrons quasi-fermi-Niveau d'énergie intrinsèque du semi-conducteur)/([BoltZ]*Température absolue))

Longueur de diffusion de la région de transition

Aller Longueur de diffusion de la région de transition = Courant optique/(Charge*Zone de jonction PN*Taux de génération optique)-(Largeur de transition+Longueur de la jonction côté P)

Courant dû à la porteuse générée optiquement

Aller Courant optique = Charge*Zone de jonction PN*Taux de génération optique*(Largeur de transition+Longueur de diffusion de la région de transition+Longueur de la jonction côté P)

Retard de pointe

Aller Retard de pointe = (2*pi)/Longueur d'onde de la lumière*Longueur de fibre*Indice de réfraction^3*Tension de modulation

Angle d'acceptation maximum de la lentille composée

Aller Angle d'acceptation = asin(Indice de réfraction du milieu 1*Rayon de la lentille*sqrt(Constante positive))

Densité effective d'états dans la bande de conduction

Aller Densité effective d'États = 2*(2*pi*Masse effective d'électrons*[BoltZ]*Température absolue/[hP]^2)^(3/2)

Coefficient de diffusion de l'électron

Aller Coefficient de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*[BoltZ]*Température absolue/[Charge-e]

Diffraction utilisant la formule de Fresnel-Kirchoff

Aller Angle de diffraction = asin(1.22*Longueur d'onde de la lumière visible/Diamètre d'ouverture)

Espacement des franges compte tenu de l'angle au sommet

Aller Espace marginal = Longueur d'onde de la lumière visible/(2*tan(Angle d'interférence))

Angle des brasseurs

Aller Angle de Brewster = arctan(Indice de réfraction du milieu 1/Indice de réfraction)

Énergie d'excitation

Aller Énergie d'excitation = 1.6*10^-19*13.6*(Masse effective d'électrons/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Angle de rotation du plan de polarisation

Aller Angle de rotation = 1.8*Densité du flux magnétique*Longueur du milieu

Angle de l'apex

Aller Angle au sommet = tan(Alpha)

Énergie d'excitation Formule

Énergie d'excitation = 1.6*10^-19*13.6*(Masse effective d'électrons/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Quelles sont les deux formes d’énergie d’excitation ?

Ea et Ed sont respectivement les énergies d’excitation de l’accepteur et les énergies d’excitation du donneur. Ea est utilisé lorsque Si est dopé avec des dopants trivalents et Ed, avec des dopants pentavalents.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!