Excitatie-energie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Apparaten met optische componenten

Fotonica-apparaten

Lasers

✖Effectieve massa van elektronen is een concept dat in de vastestoffysica wordt gebruikt om het gedrag van elektronen in een kristalrooster of halfgeleidermateriaal te beschrijven.ⓘ Effectieve massa van elektronen [m_eff]

+10%

-10%

✖Excitatie-energie is de energie die nodig is om een elektron van de valentieband naar de geleidingsband te exciteren.ⓘ Excitatie-energie [E_exc]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Excitatie-energie

Formule

`"E"_{"exc"} = 1.6*10^-19*13.6*("m"_{"eff"}/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Voorbeeld

`"0.021783eV"=1.6*10^-19*13.6*("0.2e-30kg"/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Apparaten met optische componenten Formules Pdf PDF Image

Excitatie-energie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Excitatie-energie = 1.6*10^-19*13.6*(Effectieve massa van elektronen/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 2 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Mass-e] - Massa van elektron Waarde genomen als 9.10938356E-31

Variabelen gebruikt

Excitatie-energie - (Gemeten in Joule) - Excitatie-energie is de energie die nodig is om een elektron van de valentieband naar de geleidingsband te exciteren.
Effectieve massa van elektronen - (Gemeten in Kilogram) - Effectieve massa van elektronen is een concept dat in de vastestoffysica wordt gebruikt om het gedrag van elektronen in een kristalrooster of halfgeleidermateriaal te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve massa van elektronen: 2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2) --> 1.6*10^-19*13.6*(2E-31/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Evalueren ... ...

E_exc = 3.49002207792288E-21

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.49002207792288E-21 Joule -->0.0217829950066942 Electron-volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0217829950066942 ≈ 0.021783 Electron-volt <-- Excitatie-energie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Opto-elektronica-apparaten » Apparaten met optische componenten » Excitatie-energie

Credits

Gemaakt door Priyanka G Chalikar

Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 14 Apparaten met optische componenten Rekenmachines

PN-verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie)))

Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden

Gaan Elektronenconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Quasi Fermi-niveau van elektronen-Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Diffusielengte van overgangsgebied

Gaan Verspreidingslengte van het overgangsgebied = Optische stroom/(Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid)-(Overgangsbreedte+Lengte van P-zijverbinding)

Stroom door optisch gegenereerde draaggolf

Gaan Optische stroom = Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid*(Overgangsbreedte+Verspreidingslengte van het overgangsgebied+Lengte van P-zijverbinding)

Piekvertraging

Gaan Piekvertraging = (2*pi)/Golflengte van licht*Lengte van vezels*Brekingsindex^3*Modulatie spanning

Maximale acceptatiehoek van samengestelde lens

Gaan Acceptatiehoek = asin(Brekingsindex van medium 1*Straal van lens*sqrt(Positieve constante))

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband

Gaan Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)

Diffusiecoëfficiënt van elektron

Gaan Elektronendiffusiecoëfficiënt = Mobiliteit van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[Charge-e]

Diffractie met behulp van de Fresnel-Kirchoff-formule

Gaan Diffractiehoek = asin(1.22*Golflengte van zichtbaar licht/Diameter van diafragma)

Excitatie-energie

Gaan Excitatie-energie = 1.6*10^-19*13.6*(Effectieve massa van elektronen/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Randafstand gegeven tophoek

Gaan Randruimte = Golflengte van zichtbaar licht/(2*tan(Hoek van interferentie))

Brewsters hoek

Gaan Brewsters Hoek = arctan(Brekingsindex van medium 1/Brekingsindex)

Rotatiehoek van het polarisatievlak

Gaan Hoek van rotatie = 1.8*Magnetische fluxdichtheid*Lengte van gemiddeld

Apex-hoek

Gaan Tophoek = tan(Alfa)

Excitatie-energie Formule

Excitatie-energie = 1.6*10^-19*13.6*(Effectieve massa van elektronen/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Wat zijn de twee vormen van excitatie-energie?

Ea en Ed zijn respectievelijk de acceptor-excitatie-energieën en de donor-excitatie-energieën. Ea wordt gebruikt wanneer Si wordt gedoteerd met driewaardige doteermiddelen en Ed met vijfwaardige doteermiddelen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!