Anregungsenergie Taschenrechner

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✖Die effektive Elektronenmasse ist ein Konzept, das in der Festkörperphysik verwendet wird, um das Verhalten von Elektronen in einem Kristallgitter oder einem Halbleitermaterial zu beschreiben.ⓘ Effektive Elektronenmasse [m_eff]

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✖Anregungsenergie ist die Energie, die erforderlich ist, um ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen.ⓘ Anregungsenergie [E_exc]

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Formel

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Anregungsenergie

Formel

`"E"_{"exc"} = 1.6*10^-19*13.6*("m"_{"eff"}/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Beispiel

`"0.021783eV"=1.6*10^-19*13.6*("0.2e-30kg"/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

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Anregungsenergie Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Anregungsenergie = 1.6*10^-19*13.6*(Effektive Elektronenmasse/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 2 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Mass-e] - Masse des Elektrons Wert genommen als 9.10938356E-31

Verwendete Variablen

Anregungsenergie - (Gemessen in Joule) - Anregungsenergie ist die Energie, die erforderlich ist, um ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen.
Effektive Elektronenmasse - (Gemessen in Kilogramm) - Die effektive Elektronenmasse ist ein Konzept, das in der Festkörperphysik verwendet wird, um das Verhalten von Elektronen in einem Kristallgitter oder einem Halbleitermaterial zu beschreiben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Effektive Elektronenmasse: 2E-31 Kilogramm --> 2E-31 Kilogramm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2) --> 1.6*10^-19*13.6*(2E-31/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Auswerten ... ...

E_exc = 3.49002207792288E-21

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.49002207792288E-21 Joule -->0.0217829950066942 Elektronen Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0217829950066942 ≈ 0.021783 Elektronen Volt <-- Anregungsenergie

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka G. Chalikar

Das National Institute of Engineering (NIE), Mysuru

Priyanka G. Chalikar hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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PN-Übergangskapazität

Gehen Sperrschichtkapazität = PN-Kreuzungsgebiet/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relative Permittivität*[Permitivity-silicon])/(Spannung am PN-Anschluss-(Sperrspannung))*((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)))

Elektronenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen

Gehen Elektronenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen-Eigenenergieniveau eines Halbleiters)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Diffusionslänge des Übergangsbereichs

Gehen Diffusionslänge des Übergangsbereichs = Optischer Strom/(Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate)-(Übergangsbreite+Länge der P-seitigen Kreuzung)

Strom durch optisch erzeugten Träger

Gehen Optischer Strom = Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate*(Übergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs+Länge der P-seitigen Kreuzung)

Spitzenverzögerung

Gehen Spitzenverzögerung = (2*pi)/Wellenlänge des Lichts*Länge der Faser*Brechungsindex^3*Modulationsspannung

Maximaler Akzeptanzwinkel der zusammengesetzten Linse

Gehen Akzeptanzwinkel = asin(Brechungsindex des Mediums 1*Radius der Linse*sqrt(Positive Konstante))

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Gehen Effektive Staatendichte = 2*(2*pi*Effektive Elektronenmasse*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[hP]^2)^(3/2)

Diffusionskoeffizient des Elektrons

Gehen Elektronendiffusionskoeffizient = Mobilität des Elektrons*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[Charge-e]

Beugung mit der Fresnel-Kirchoff-Formel

Gehen Beugungswinkel = asin(1.22*Wellenlänge des sichtbaren Lichts/Durchmesser der Blende)

Streifenabstand bei gegebenem Scheitelwinkel

Gehen Randraum = Wellenlänge des sichtbaren Lichts/(2*tan(Interferenzwinkel))

Anregungsenergie

Gehen Anregungsenergie = 1.6*10^-19*13.6*(Effektive Elektronenmasse/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Brewsters Winkel

Gehen Brewsters Winkel = arctan(Brechungsindex des Mediums 1/Brechungsindex)

Drehwinkel der Polarisationsebene

Gehen Drehwinkel = 1.8*Magnetflußdichte*Länge des Mediums

Scheitelwinkel

Gehen Spitzenwinkel = tan(Alpha)

Anregungsenergie Formel

Anregungsenergie = 1.6*10^-19*13.6*(Effektive Elektronenmasse/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Welche zwei Formen der Anregungsenergie gibt es?

Ea und Ed sind die Anregungsenergien des Akzeptors bzw. des Donors. Ea wird verwendet, wenn Si mit dreiwertigen Dotierstoffen dotiert ist, und Ed mit fünfwertigen Dotierstoffen.

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