Energia wzbudzenia Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Urządzenia z elementami optycznymi

Lasery

Urządzenia fotoniczne

✖Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.ⓘ Efektywna masa elektronu [m_eff]

+10%

-10%

✖Energia wzbudzenia to energia potrzebna do wzbudzenia elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa.ⓘ Energia wzbudzenia [E_exc]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Energia wzbudzenia

Formuła

`"E"_{"exc"} = 1.6*10^-19*13.6*("m"_{"eff"}/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Przykład

`"0.021783eV"=1.6*10^-19*13.6*("0.2e-30kg"/"[Mass-e]")*(1/"[Permitivity-silicon]"^2)`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Urządzenia z elementami optycznymi Formuły PDF PDF Image

Energia wzbudzenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Energia wzbudzenia = 1.6*10^-19*13.6*(Efektywna masa elektronu/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Ta formuła używa 2 Stałe, 2 Zmienne

Używane stałe

[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Mass-e] - Masa elektronu Wartość przyjęta jako 9.10938356E-31

Używane zmienne

Energia wzbudzenia - (Mierzone w Dżul) - Energia wzbudzenia to energia potrzebna do wzbudzenia elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa.
Efektywna masa elektronu - (Mierzone w Kilogram) - Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywna masa elektronu: 2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2) --> 1.6*10^-19*13.6*(2E-31/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Ocenianie ... ...

E_exc = 3.49002207792288E-21

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.49002207792288E-21 Dżul -->0.0217829950066942 Elektron-wolt (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0217829950066942 ≈ 0.021783 Elektron-wolt <-- Energia wzbudzenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia optoelektroniczne » Urządzenia z elementami optycznymi » Energia wzbudzenia

Kredyty

Stworzone przez Priyanka G Chalikar

Narodowy Instytut Inżynierii (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

< 14 Urządzenia z elementami optycznymi Kalkulatory

Pojemność złącza PN

Iść Pojemność złącza = Obszar złącza PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Względna dopuszczalność*[Permitivity-silicon])/(Napięcie na złączu PN-(Napięcie odwrotnego polaryzacji))*((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Stężenie akceptora+Stężenie dawcy)))

Stężenie elektronów w warunkach niezrównoważonych

Iść Stężenie elektronów = Wewnętrzne stężenie elektronów*exp((Poziom quasi-fermiego elektronów-Wewnętrzny poziom energii półprzewodnika)/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Długość dyfuzji regionu przejściowego

Iść Długość dyfuzji obszaru przejściowego = Prąd optyczny/(Opłata*Obszar złącza PN*Szybkość generacji optycznej)-(Szerokość przejścia+Długość złącza po stronie P)

Prąd ze względu na nośną generowaną optycznie

Iść Prąd optyczny = Opłata*Obszar złącza PN*Szybkość generacji optycznej*(Szerokość przejścia+Długość dyfuzji obszaru przejściowego+Długość złącza po stronie P)

Szczytowe opóźnienie

Iść Szczytowe opóźnienie = (2*pi)/Długość fali światła*Długość włókna*Współczynnik załamania światła^3*Napięcie modulacyjne

Maksymalny kąt akceptacji soczewki złożonej

Iść Kąt akceptacji = asin(Współczynnik załamania światła ośrodka 1*Promień obiektywu*sqrt(Dodatnia stała))

Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa

Iść Efektywna gęstość stanów = 2*(2*pi*Efektywna masa elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[hP]^2)^(3/2)

Współczynnik dyfuzji elektronu

Iść Współczynnik dyfuzji elektronów = Mobilność elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[Charge-e]

Kąt Brewstera

Iść Kąt Brewstera = arctan(Współczynnik załamania światła ośrodka 1/Współczynnik załamania światła)

Odstępy między krawędziami przy danym kącie wierzchołkowym

Iść Skrajna przestrzeń = Długość fali światła widzialnego/(2*tan(Kąt interferencji))

Dyfrakcja z wykorzystaniem wzoru Fresnela-Kirchoffa

Iść Kąt dyfrakcji = asin(1.22*Długość fali światła widzialnego/Średnica otworu)

Energia wzbudzenia

Iść Energia wzbudzenia = 1.6*10^-19*13.6*(Efektywna masa elektronu/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Kąt obrotu płaszczyzny polaryzacji

Iść Kąt obrotu = 1.8*Gęstość strumienia magnetycznego*Długość średnia

Kąt wierzchołka

Iść Kąt wierzchołkowy = tan(Alfa)

Energia wzbudzenia Formułę

Energia wzbudzenia = 1.6*10^-19*13.6*(Efektywna masa elektronu/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
E_exc = 1.6*10^-19*13.6*(m_eff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Jakie są dwie formy energii wzbudzenia?

Ea i Ed są odpowiednio energiami wzbudzenia akceptora i energiami wzbudzenia dawcy. Ea stosuje się, gdy Si jest domieszkowany domieszkami trójwartościowymi, a Ed domieszkami pięciowartościowymi.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!