Energia di eccitazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Energia di eccitazione = 1.6*10^-19*13.6*(Massa effettiva dell'elettrone/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Eexc = 1.6*10^-19*13.6*(meff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Questa formula utilizza 2 Costanti, 2 Variabili
Costanti utilizzate
[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Mass-e] - Massa dell'elettrone Valore preso come 9.10938356E-31
Variabili utilizzate
Energia di eccitazione - (Misurato in Joule) - L'energia di eccitazione è l'energia necessaria per eccitare un elettrone dalla banda di valenza alla banda di conduzione.
Massa effettiva dell'elettrone - (Misurato in Chilogrammo) - La massa effettiva dell'elettrone è un concetto utilizzato nella fisica dello stato solido per descrivere il comportamento degli elettroni in un reticolo cristallino o in un materiale semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Massa effettiva dell'elettrone: 2E-31 Chilogrammo --> 2E-31 Chilogrammo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Eexc = 1.6*10^-19*13.6*(meff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2) --> 1.6*10^-19*13.6*(2E-31/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Valutare ... ...
Eexc = 3.49002207792288E-21
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
3.49002207792288E-21 Joule -->0.0217829950066942 Electron-Volt (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.0217829950066942 0.021783 Electron-Volt <-- Energia di eccitazione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
L'Istituto Nazionale di Ingegneria (NIE), Mysuru
Priyanka G. Chalikar ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

14 Dispositivi con componenti ottici Calcolatrici

Capacità di giunzione PN
​ Partire Capacità di giunzione = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)))
Concentrazione di elettroni in condizioni sbilanciate
​ Partire Concentrazione di elettroni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello di elettroni quasi Fermi-Livello energetico intrinseco del semiconduttore)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
Lunghezza di diffusione della regione di transizione
​ Partire Lunghezza di diffusione della regione di transizione = Corrente ottica/(Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica)-(Larghezza di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)
Corrente dovuta alla portante generata otticamente
​ Partire Corrente ottica = Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica*(Larghezza di transizione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)
Picco di ritardo
​ Partire Picco di ritardo = (2*pi)/Lunghezza d'onda della luce*Lunghezza della fibra*Indice di rifrazione^3*Tensione di modulazione
Angolo di accettazione massimo della lente composta
​ Partire Angolo di accettazione = asin(Indice di rifrazione del mezzo 1*Raggio della lente*sqrt(Costante positiva))
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione
​ Partire Densità effettiva degli Stati = 2*(2*pi*Massa effettiva dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[hP]^2)^(3/2)
Coefficiente di diffusione dell'elettrone
​ Partire Coefficiente di diffusione degli elettroni = Mobilità dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[Charge-e]
Diffrazione mediante la formula di Fresnel-Kirchoff
​ Partire Angolo di diffrazione = asin(1.22*Lunghezza d'onda della luce visibile/Diametro dell'apertura)
Spaziatura della frangia dato l'angolo dell'apice
​ Partire Spazio marginale = Lunghezza d'onda della luce visibile/(2*tan(Angolo di interferenza))
Angolo di Brewsters
​ Partire L'angolo di Brewster = arctan(Indice di rifrazione del mezzo 1/Indice di rifrazione)
Energia di eccitazione
​ Partire Energia di eccitazione = 1.6*10^-19*13.6*(Massa effettiva dell'elettrone/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Angolo di rotazione del piano di polarizzazione
​ Partire Angolo di rotazione = 1.8*Densità del flusso magnetico*Lunghezza del mezzo
Angolo dell'apice
​ Partire Angolo dell'apice = tan(Alfa)

Energia di eccitazione Formula

Energia di eccitazione = 1.6*10^-19*13.6*(Massa effettiva dell'elettrone/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Eexc = 1.6*10^-19*13.6*(meff/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Quali sono le due forme di energia di eccitazione?

Ea ed Ed sono rispettivamente le energie di eccitazione dell'accettore e le energie di eccitazione del donatore. Ea viene utilizzato quando Si è drogato con droganti trivalenti e Ed, con droganti pentavalenti.

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