Paramètre de processus de fabrication de NMOS Calculatrice

✖La concentration de dopage du substrat P est le nombre d'impuretés ajoutées au substrat. C'est la concentration totale d'ions accepteurs.ⓘ Concentration de dopage du substrat P [N_P]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%

✖Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.ⓘ Paramètre de processus de fabrication de NMOS [γ]

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Formule

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Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Formule

`"γ" = sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"P"}*"[Permitivity-vacuum]")/"C"_{"ox"}`

Exemple

`"204.2049"=sqrt(2*"[Charge-e]"*"6E16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]")/"2.02μF"`

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Paramètre de processus de fabrication de NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Paramètre de processus de fabrication - Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.
Concentration de dopage du substrat P - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage du substrat P est le nombre d'impuretés ajoutées au substrat. C'est la concentration totale d'ions accepteurs.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration de dopage du substrat P: 6E+16 1 par centimètre cube --> 6E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde: 2.02 microfarades --> 2.02E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Évaluer ... ...

γ = 204.204864690003

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

204.204864690003 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Paramètre de processus de fabrication

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Paramètre de processus de fabrication de NMOS Formule

Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox

Quel est l'autre nom du paramètre du processus de fabrication?

Le paramètre du processus de fabrication est également appelé paramètre d'effet corporel. Il est noté γ. C'est positif dans NMOS.

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