Herstellungsprozessparameter von NMOS Taschenrechner

✖Die Dotierungskonzentration des P-Substrats ist die Anzahl der dem Substrat hinzugefügten Verunreinigungen. Es handelt sich um die Gesamtkonzentration an Akzeptorionen.ⓘ Dotierungskonzentration des P-Substrats [N_P]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%

✖Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.ⓘ Herstellungsprozessparameter von NMOS [γ]

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Formel

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Herstellungsprozessparameter von NMOS

Formel

`"γ" = sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"P"}*"[Permitivity-vacuum]")/"C"_{"ox"}`

Beispiel

`"204.2049"=sqrt(2*"[Charge-e]"*"6E16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]")/"2.02μF"`

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Herstellungsprozessparameter von NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Herstellungsprozessparameter - Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.
Dotierungskonzentration des P-Substrats - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des P-Substrats ist die Anzahl der dem Substrat hinzugefügten Verunreinigungen. Es handelt sich um die Gesamtkonzentration an Akzeptorionen.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Dotierungskonzentration des P-Substrats: 6E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 6E+22 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Oxidkapazität: 2.02 Mikrofarad --> 2.02E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Auswerten ... ...

γ = 204.204864690003

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

204.204864690003 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Herstellungsprozessparameter

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Herstellungsprozessparameter von NMOS Formel

Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox

Wie lautet der andere Name des Herstellungsprozessparameters?

Der Herstellungsprozessparameter wird auch als Body-Effect-Parameter bezeichnet. Es wird mit γ bezeichnet. Es ist positiv in NMOS.

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