Parametro del processo di fabbricazione di NMOS calcolatrice

✖La concentrazione drogante del substrato P è il numero di impurità aggiunte al substrato. È la concentrazione totale di ioni accettori.ⓘ Concentrazione drogante del substrato P [N_P]			+10% -10%
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità di ossido [C_ox]			+10% -10%

✖Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.ⓘ Parametro del processo di fabbricazione di NMOS [γ]

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Formula

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Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Formula

`"γ" = sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"P"}*"[Permitivity-vacuum]")/"C"_{"ox"}`

Esempio

`"204.2049"=sqrt(2*"[Charge-e]"*"6E16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]")/"2.02μF"`

Calcolatrice

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Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto Valore preso come 8.85E-12
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Parametro del processo di fabbricazione - Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.
Concentrazione drogante del substrato P - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione drogante del substrato P è il numero di impurità aggiunte al substrato. È la concentrazione totale di ioni accettori.
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione drogante del substrato P: 6E+16 1 per centimetro cubo --> 6E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Capacità di ossido: 2.02 Microfarad --> 2.02E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Valutare ... ...

γ = 204.204864690003

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

204.204864690003 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Parametro del processo di fabbricazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Formula

Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox

Qual è l'altro nome del parametro del processo di fabbricazione?

Il parametro del processo di fabbricazione è anche noto come parametro dell'effetto corpo. È indicato con γ. È positivo in NMOS.

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