Parametr procesu produkcyjnego NMOS Kalkulator

✖Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych.ⓘ Stężenie domieszkowania substratu P [N_P]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%

✖Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.ⓘ Parametr procesu produkcyjnego NMOS [γ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Formuła

`"γ" = sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"P"}*"[Permitivity-vacuum]")/"C"_{"ox"}`

Przykład

`"204.2049"=sqrt(2*"[Charge-e]"*"6E16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]")/"2.02μF"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 3 Zmienne

Używane stałe

[Permitivity-vacuum] - Przenikalność próżni Wartość przyjęta jako 8.85E-12
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Parametr procesu produkcyjnego - Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.
Stężenie domieszkowania substratu P - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Stężenie domieszkowania substratu P: 6E+16 1 na centymetr sześcienny --> 6E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność tlenkowa: 2.02 Mikrofarad --> 2.02E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Ocenianie ... ...

γ = 204.204864690003

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

204.204864690003 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Parametr procesu produkcyjnego

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Formułę

Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox

Jaka jest inna nazwa parametru procesu produkcyjnego?

Parametr procesu produkcyjnego jest również znany jako parametr efektu ciała. Jest oznaczony przez γ. Jest pozytywny w NMOS.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!