Tension d'entrée donnée Tension du signal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Tension des composants fondamentaux - (Mesuré en Volt) - La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Résistance d'entrée finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée finie est la résistance finie vue par la source de courant ou la source de tension qui pilote le circuit.
Résistance du signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance du signal est la résistance qui est alimentée par la source de tension de signal d'un amplificateur.
Tension du petit signal - (Mesuré en Volt) - La tension du petit signal est une expression quantitative de la différence de potentiel de charge électrique entre deux points dans un champ électrique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Résistance d'entrée finie: 2.258 Kilohm --> 2258 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance du signal: 1.12 Kilohm --> 1120 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension du petit signal: 7.58 Volt --> 7.58 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig --> (2258/(2258+1120))*7.58
Évaluer ... ...
Vfc = 5.06679692125518
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.06679692125518 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.06679692125518 5.066797 Volt <-- Tension des composants fondamentaux
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
​ Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
Tension efficace globale de la transconductance MOSFET
​ Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))
Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
​ Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
Tension d'entrée donnée Tension du signal
​ Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal
Paramètre de transconductance du transistor MOS
​ Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)
Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source
​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
Courant de drain du transistor
​ Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites
Tension de drain instantanée totale
​ Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
Tension d'entrée dans le transistor
​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale
Transconductance des amplificateurs à transistors
​ Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)
Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée
​ Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur
Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor
​ Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun
​ Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base
Gain de courant continu de l'amplificateur
​ Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base
Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test
​ Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor
​ Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée
Courant de test de l'amplificateur à transistor
​ Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée
Résistance d'entrée du circuit à porte commune
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Tension d'entrée donnée Tension du signal Formule

Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig

Comment fonctionne un transistor à jonction?

Supposons maintenant que nous utilisions trois couches de silicium dans notre sandwich au lieu de deux. On peut soit faire un sandwich pnp (avec une tranche de silicium de type n comme remplissage entre deux tranches de type p) soit un sandwich npn (avec le type p entre les deux dalles de type n). Si nous joignons des contacts électriques aux trois couches du sandwich, nous pouvons fabriquer un composant qui amplifiera un courant ou l'allumera ou l'éteindra - en d'autres termes, un transistor.

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