Eingangsspannung gegeben Signalspannung Taschenrechner

✖Der endliche Eingangswiderstand ist der endliche Widerstand, den die Stromquelle oder Spannungsquelle sieht, die die Schaltung antreibt.ⓘ Endlicher Eingangswiderstand [R_fi]			+10% -10%
✖Der Signalwiderstand ist der Widerstand, der mit der Signalspannungsquelle eines Verstärkers gespeist wird.ⓘ Signalwiderstand [R_sig]			+10% -10%
✖Die Kleinsignalspannung ist ein quantitativer Ausdruck der Potentialdifferenz der elektrischen Ladung zwischen zwei Punkten in einem elektrischen Feld.ⓘ Kleine Signalspannung [V_sig]			+10% -10%

✖Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.ⓘ Eingangsspannung gegeben Signalspannung [V_fc]

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Formel

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Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Formel

`"V"_{"fc"} = ("R"_{"fi"}/("R"_{"fi"}+"R"_{"sig"}))*"V"_{"sig"}`

Beispiel

`"5.066797V"=("2.258kΩ"/("2.258kΩ"+"1.12kΩ"))*"7.58V"`

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Eingangsspannung gegeben Signalspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung
V_fc = (R_fi/(R_fi+R_sig))*V_sig
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Grundkomponentenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.
Endlicher Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Eingangswiderstand ist der endliche Widerstand, den die Stromquelle oder Spannungsquelle sieht, die die Schaltung antreibt.
Signalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Signalwiderstand ist der Widerstand, der mit der Signalspannungsquelle eines Verstärkers gespeist wird.
Kleine Signalspannung - (Gemessen in Volt) - Die Kleinsignalspannung ist ein quantitativer Ausdruck der Potentialdifferenz der elektrischen Ladung zwischen zwei Punkten in einem elektrischen Feld.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Endlicher Eingangswiderstand: 2.258 Kiloohm --> 2258 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Signalwiderstand: 1.12 Kiloohm --> 1120 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kleine Signalspannung: 7.58 Volt --> 7.58 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_fc = (R_fi/(R_fi+R_sig))*V_sig --> (2258/(2258+1120))*7.58

Auswerten ... ...

V_fc = 5.06679692125518

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.06679692125518 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.06679692125518 ≈ 5.066797 Volt <-- Grundkomponentenspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Eingangsspannung gegeben Signalspannung Formel

Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung
V_fc = (R_fi/(R_fi+R_sig))*V_sig

Wie funktioniert ein Sperrschichttransistor?

Nehmen wir nun an, wir verwenden drei Schichten Silizium in unserem Sandwich anstelle von zwei. Wir können entweder ein pnp-Sandwich (mit einer Scheibe Silizium vom n-Typ als Füllung zwischen zwei Scheiben vom p-Typ) oder ein npn-Sandwich (mit dem p-Typ zwischen den beiden Platten vom n-Typ) herstellen. Wenn wir elektrische Kontakte mit allen drei Schichten des Sandwichs verbinden, können wir eine Komponente herstellen, die entweder einen Strom verstärkt oder ihn ein- oder ausschaltet - mit anderen Worten, einen Transistor.

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