Longueur de diffusion du trou Calculatrice

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Caractéristiques du transporteur de charge

Caractéristiques des diodes

Caractéristiques des semi-conducteurs

Paramètres de fonctionnement des transistors

Paramètres électrostatiques

✖La constante de diffusion des trous fait référence à une propriété du matériau qui décrit la vitesse à laquelle les trous se diffusent à travers le matériau en réponse à un gradient de concentration.ⓘ Constante de diffusion des trous [D_p]			+10% -10%
✖Hole Carrier Lifetime fait référence au temps moyen pendant lequel un trou porteur minoritaire existe dans le matériau avant de se recombiner avec un électron et de disparaître ainsi.ⓘ Durée de vie du support de trou [τ_p]			+10% -10%

✖La longueur de diffusion des trous fait référence à la distance moyenne parcourue par la charge concernée dans le semi-conducteur.ⓘ Longueur de diffusion du trou [L_p]

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Formule

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Longueur de diffusion du trou

Formule

`"L"_{"p"} = sqrt("D"_{"p"}*"τ"_{"p"})`

Exemple

`"0.362214m"=sqrt("37485.39cm²/s"*"0.035s")`

Calculatrice

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Longueur de diffusion du trou Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Longueur de diffusion des trous = sqrt(Constante de diffusion des trous*Durée de vie du support de trou)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 3 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Longueur de diffusion des trous - (Mesuré en Mètre) - La longueur de diffusion des trous fait référence à la distance moyenne parcourue par la charge concernée dans le semi-conducteur.
Constante de diffusion des trous - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion des trous fait référence à une propriété du matériau qui décrit la vitesse à laquelle les trous se diffusent à travers le matériau en réponse à un gradient de concentration.
Durée de vie du support de trou - (Mesuré en Deuxième) - Hole Carrier Lifetime fait référence au temps moyen pendant lequel un trou porteur minoritaire existe dans le matériau avant de se recombiner avec un électron et de disparaître ainsi.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Constante de diffusion des trous: 37485.39 Centimètre carré par seconde --> 3.748539 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Durée de vie du support de trou: 0.035 Deuxième --> 0.035 Deuxième Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_p = sqrt(D_p*τ_p) --> sqrt(3.748539*0.035)

Évaluer ... ...

L_p = 0.362213838774832

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.362213838774832 Mètre --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.362213838774832 ≈ 0.362214 Mètre <-- Longueur de diffusion des trous

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 16 Caractéristiques du transporteur de charge Calculatrices

Concentration intrinsèque

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité efficace dans la bande de Valence*Densité efficace dans la bande de conduction)*e^((-Dépendance à la température de la bande d'énergie)/(2*[BoltZ]*Température))

Sensibilité de déviation électrostatique du CRT

Aller Sensibilité à la déviation électrostatique = (Distance entre les plaques déflectrices*Distance de l'écran et des plaques déflectrices)/(2*Déviation du faisceau*Vitesse des électrons)

Densité de courant due aux électrons

Aller Densité de courant électronique = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité de l'électron*Intensité du champ électrique

Densité de courant due aux trous

Aller Densité de courant des trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Concentration des porteurs majoritaires*Concentration des porteurs minoritaires)

Constante de diffusion des électrons

Aller Constante de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*(([BoltZ]*Température)/[Charge-e])

Constante de diffusion des trous

Aller Constante de diffusion des trous = Mobilité des trous*(([BoltZ]*Température)/[Charge-e])

Période de temps de l'électron

Aller Période du chemin circulaire des particules = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensité du champ magnétique*[Charge-e])

Force sur l'élément actuel dans le champ magnétique

Aller Forcer = Élément actuel*Densité de flux magnétique*sin(Angle entre les plans)

Longueur de diffusion du trou

Aller Longueur de diffusion des trous = sqrt(Constante de diffusion des trous*Durée de vie du support de trou)

Vitesse de l'électron

Aller Vitesse due à la tension = sqrt((2*[Charge-e]*Tension)/[Mass-e])

Vitesse de l'électron dans les champs de force

Aller Vitesse de l'électron dans les champs de force = Intensité du champ électrique/Intensité du champ magnétique

Conductivité dans les métaux

Aller Conductivité = Concentration d'électrons*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Tension thermique

Aller Tension thermique = [BoltZ]*Température/[Charge-e]

Tension thermique utilisant l'équation d'Einstein

Aller Tension thermique = Constante de diffusion électronique/Mobilité de l'électron

Densité de courant de convection

Aller Densité de courant de convection = Densité de charge*Vitesse de charge

Longueur de diffusion du trou Formule

Longueur de diffusion des trous = sqrt(Constante de diffusion des trous*Durée de vie du support de trou)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)

Quelle est l'importance de la longueur de diffusion ?

La longueur de diffusion des porteurs est un concept fondamental en physique des semi-conducteurs et fait référence à la distance moyenne qu'un porteur de charge en excès (électron ou trou) peut parcourir à travers un matériau semi-conducteur avant qu'il ne se recombine avec un porteur de charge opposé ou ne soit autrement perdu. C'est une mesure de la distance que les porteurs peuvent diffuser loin de leur point de génération.

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