Capacité de jonction de la photodiode Calculatrice

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✖La permittivité du semi-conducteur fait référence à sa capacité à autoriser un champ électrique. C'est une propriété matérielle qui caractérise la façon dont le semi-conducteur répond à un champ électrique.ⓘ Permittivité du semi-conducteur [ε_r]			+10% -10%
✖La zone de jonction est la zone de coupe transversale de la région d'appauvrissement, généralement perpendiculaire à la direction du flux de courant.ⓘ Zone de jonction [A_j]			+10% -10%
✖La largeur de la couche d'épuisement est la distance à travers la région proche de la jonction pn où les porteurs de charge mobiles (électrons et trous) ont été considérablement épuisés ou supprimés.ⓘ Largeur de la couche d'épuisement [w]			+10% -10%

✖La capacité de jonction est la capacité associée à la région d'appauvrissement d'un dispositif semi-conducteur, comme une diode ou un transistor.ⓘ Capacité de jonction de la photodiode [C_j]

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Formule

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Capacité de jonction de la photodiode

Formule

`"C"_{"j"} = "ε"_{"r"}*"A"_{"j"}/"w"`

Exemple

`"11.18F"="11.7F/m"*"8.6m²"/"9m"`

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Capacité de jonction de la photodiode Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement
C_j = ε_r*A_j/w
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de jonction - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction est la capacité associée à la région d'appauvrissement d'un dispositif semi-conducteur, comme une diode ou un transistor.
Permittivité du semi-conducteur - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité du semi-conducteur fait référence à sa capacité à autoriser un champ électrique. C'est une propriété matérielle qui caractérise la façon dont le semi-conducteur répond à un champ électrique.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la zone de coupe transversale de la région d'appauvrissement, généralement perpendiculaire à la direction du flux de courant.
Largeur de la couche d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la couche d'épuisement est la distance à travers la région proche de la jonction pn où les porteurs de charge mobiles (électrons et trous) ont été considérablement épuisés ou supprimés.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Permittivité du semi-conducteur: 11.7 Farad par mètre --> 11.7 Farad par mètre Aucune conversion requise
Zone de jonction: 8.6 Mètre carré --> 8.6 Mètre carré Aucune conversion requise
Largeur de la couche d'épuisement: 9 Mètre --> 9 Mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Évaluer ... ...

C_j = 11.18

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

11.18 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

11.18 Farad <-- Capacité de jonction

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Transmission par fibre optique » CV Actions de Transmission Optique » Capacité de jonction de la photodiode

Crédits

Créé par Gowthaman N.

Institut de technologie de Vellore (Université VIT), Chennai

Gowthaman N. a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 17 CV Actions de Transmission Optique Calculatrices

Puissance équivalente au bruit

Aller Puissance équivalente au bruit = [hP]*[c]*sqrt(2*Charge de particules*Courant sombre)/(Efficacité quantique*Charge de particules*Longueur d'onde de la lumière)

Ondulation de la bande passante

Aller Ondulation de la bande passante = ((1+sqrt(Résistance 1*Résistance 2)*Gain en un seul passage)/(1-sqrt(Résistance 1*Résistance 2)*Gain en un seul passage))^2

Puissance de bruit ASE

Aller Puissance de bruit ASE = Numéro de mode*Facteur d'émission spontanée*(Gain en un seul passage-1)*([hP]*Fréquence de la lumière incidente)*Bande passante post-détection

Facteur de bruit étant donné la puissance de bruit ASE

Aller Chiffre de bruit = 10*log10(Puissance de bruit ASE/(Gain en un seul passage*[hP]*Fréquence de la lumière incidente*Bande passante post-détection))

Gain paramétrique maximal

Aller Gain paramétrique maximal = 10*log10(0.25*exp(2*Coefficient non linéaire de fibre*Puissance du signal de la pompe*Longueur des fibres))

Courant photo de sortie

Aller Photocourant = Efficacité quantique*Puissance optique incidente*[Charge-e]/([hP]*Fréquence de la lumière incidente)

Réactivité en référence à la longueur d'onde

Aller Réactivité du photodétecteur = (Efficacité quantique*[Charge-e]*Longueur d'onde de la lumière)/([hP]*[c])

Bruit total de tir

Aller Bruit total de tir = sqrt(2*[Charge-e]*Bande passante post-détection*(Photocourant+Courant sombre))

Réactivité par rapport à l'énergie photonique

Aller Réactivité du photodétecteur = (Efficacité quantique*[Charge-e])/([hP]*Fréquence de la lumière incidente)

Coefficient de gain

Aller Coefficient de gain net par unité de longueur = Facteur de confinement optique*Coefficient de gain de matière-Coefficient de perte effectif

Courant de bruit thermique

Aller Courant de bruit thermique = 4*[BoltZ]*Température absolue*Bande passante post-détection/Résistivité

Capacité de jonction de la photodiode

Aller Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement

Bruit de courant sombre

Aller Bruit de courant sombre = 2*Bande passante post-détection*[Charge-e]*Courant sombre

Résistance de charge

Aller Résistance à la charge = 1/(2*pi*Bande passante post-détection*Capacitance)

Gain photoconducteur

Aller Gain photoconducteur = Temps de transit lent du transporteur/Temps de transit rapide du transporteur

Gain optique du phototransistor

Aller Gain optique du phototransistor = Efficacité quantique*Gain de courant de l'émetteur commun

Réactivité du photodétecteur

Aller Réactivité du photodétecteur = Photocourant/Puissance incidente

Capacité de jonction de la photodiode Formule

Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement
C_j = ε_r*A_j/w

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