Sperrschichtkapazität der Fotodiode Taschenrechner

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✖Die Permittivität eines Halbleiters bezieht sich auf seine Fähigkeit, ein elektrisches Feld zuzulassen. Es handelt sich um eine Materialeigenschaft, die charakterisiert, wie der Halbleiter auf ein elektrisches Feld reagiert.ⓘ Permittivität von Halbleitern [ε_r]			+10% -10%
✖Die Übergangsfläche ist die Querschnittsfläche der Verarmungsregion, normalerweise senkrecht zur Richtung des Stromflusses.ⓘ Kreuzungsbereich [A_j]			+10% -10%
✖Die Breite der Verarmungsschicht ist die Entfernung über den Bereich in der Nähe des pn-Übergangs, in dem mobile Ladungsträger (Elektronen und Löcher) erheblich abgereichert oder entfernt wurden.ⓘ Breite der Verarmungsschicht [w]			+10% -10%

✖Die Sperrschichtkapazität ist die Kapazität, die dem Verarmungsbereich eines Halbleiterbauelements wie einer Diode oder eines Transistors zugeordnet ist.ⓘ Sperrschichtkapazität der Fotodiode [C_j]

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Formel

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Sperrschichtkapazität der Fotodiode

Formel

`"C"_{"j"} = "ε"_{"r"}*"A"_{"j"}/"w"`

Beispiel

`"11.18F"="11.7F/m"*"8.6m²"/"9m"`

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Sperrschichtkapazität der Fotodiode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sperrschichtkapazität = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht
C_j = ε_r*A_j/w
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Sperrschichtkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Sperrschichtkapazität ist die Kapazität, die dem Verarmungsbereich eines Halbleiterbauelements wie einer Diode oder eines Transistors zugeordnet ist.
Permittivität von Halbleitern - (Gemessen in Farad pro Meter) - Die Permittivität eines Halbleiters bezieht sich auf seine Fähigkeit, ein elektrisches Feld zuzulassen. Es handelt sich um eine Materialeigenschaft, die charakterisiert, wie der Halbleiter auf ein elektrisches Feld reagiert.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Übergangsfläche ist die Querschnittsfläche der Verarmungsregion, normalerweise senkrecht zur Richtung des Stromflusses.
Breite der Verarmungsschicht - (Gemessen in Meter) - Die Breite der Verarmungsschicht ist die Entfernung über den Bereich in der Nähe des pn-Übergangs, in dem mobile Ladungsträger (Elektronen und Löcher) erheblich abgereichert oder entfernt wurden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Permittivität von Halbleitern: 11.7 Farad pro Meter --> 11.7 Farad pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Kreuzungsbereich: 8.6 Quadratmeter --> 8.6 Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite der Verarmungsschicht: 9 Meter --> 9 Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Auswerten ... ...

C_j = 11.18

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

11.18 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

11.18 Farad <-- Sperrschichtkapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Gowthaman N

Vellore Institut für Technologie (VIT-Universität), Chennai

Gowthaman N hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 CV-Aktionen der optischen Übertragung Taschenrechner

Rauschäquivalente Leistung

Gehen Rauschäquivalente Leistung = [hP]*[c]*sqrt(2*Ladung von Teilchen*Dunkle Strömung)/(Quanteneffizienz*Ladung von Teilchen*Wellenlänge des Lichts)

Passband-Welligkeit

Gehen Passband-Welligkeit = ((1+sqrt(Widerstand 1*Widerstand 2)*Single-Pass-Gewinn)/(1-sqrt(Widerstand 1*Widerstand 2)*Single-Pass-Gewinn))^2

ASE-Rauschleistung

Gehen ASE-Rauschleistung = Modusnummer*Faktor der spontanen Emission*(Single-Pass-Gewinn-1)*([hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts)*Bandbreite nach der Erkennung

Rauschzahl bei gegebener ASE-Rauschleistung

Gehen Rauschzahl = 10*log10(ASE-Rauschleistung/(Single-Pass-Gewinn*[hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts*Bandbreite nach der Erkennung))

Maximaler parametrischer Gewinn

Gehen Maximaler parametrischer Gewinn = 10*log10(0.25*exp(2*Nichtlinearer Faserkoeffizient*Pumpensignalleistung*Faserlänge))

Ausgangsfotostrom

Gehen Fotostrom = Quanteneffizienz*Einfallende optische Leistung*[Charge-e]/([hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts)

Reaktionsfähigkeit in Bezug auf die Wellenlänge

Gehen Reaktionsfähigkeit des Fotodetektors = (Quanteneffizienz*[Charge-e]*Wellenlänge des Lichts)/([hP]*[c])

Totales Schussgeräusch

Gehen Totales Schussgeräusch = sqrt(2*[Charge-e]*Bandbreite nach der Erkennung*(Fotostrom+Dunkle Strömung))

Reaktionsfähigkeit in Bezug auf Photonenenergie

Gehen Reaktionsfähigkeit des Fotodetektors = (Quanteneffizienz*[Charge-e])/([hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts)

Thermischer Rauschstrom

Gehen Thermischer Rauschstrom = 4*[BoltZ]*Absolute Temperatur*Bandbreite nach der Erkennung/Widerstand

Gewinnkoeffizient

Gehen Nettogewinnkoeffizient pro Längeneinheit = Optischer Eingrenzungsfaktor*Materialgewinnkoeffizient-Effektiver Verlustkoeffizient

Sperrschichtkapazität der Fotodiode

Gehen Sperrschichtkapazität = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht

Dunkles Stromrauschen

Gehen Dunkles Stromrauschen = 2*Bandbreite nach der Erkennung*[Charge-e]*Dunkle Strömung

Photoleitender Gewinn

Gehen Photoleitender Gewinn = Langsame Transportzeit des Spediteurs/Schnelle Transportzeit des Spediteurs

Lastwiderstand

Gehen Lastwiderstand = 1/(2*pi*Bandbreite nach der Erkennung*Kapazität)

Optische Verstärkung des Fototransistors

Gehen Optische Verstärkung des Fototransistors = Quanteneffizienz*Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Reaktionsfähigkeit des Fotodetektors

Gehen Reaktionsfähigkeit des Fotodetektors = Fotostrom/Vorfallleistung

Sperrschichtkapazität der Fotodiode Formel

Sperrschichtkapazität = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht
C_j = ε_r*A_j/w

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