Емкость перехода фотодиода Калькулятор

✖Диэлектрическая проницаемость полупроводника означает его способность пропускать электрическое поле. Это свойство материала, которое характеризует реакцию полупроводника на электрическое поле.ⓘ Диэлектрическая проницаемость полупроводника [ε_r]			+10% -10%
✖Площадь соединения — это площадь поперечного сечения области обеднения, обычно перпендикулярная направлению тока.ⓘ Зона соединения [A_j]			+10% -10%
✖Ширина слоя истощения — это расстояние в области вблизи pn-перехода, где подвижные носители заряда (электроны и дырки) значительно истощены или удалены.ⓘ Ширина слоя истощения [w]			+10% -10%

✖Емкость перехода — это емкость, связанная с обедненной областью полупроводникового устройства, такого как диод или транзистор.ⓘ Емкость перехода фотодиода [C_j]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость перехода фотодиода

Формула

`"C"_{"j"} = "ε"_{"r"}*"A"_{"j"}/"w"`

Пример

`"11.18F"="11.7F/m"*"8.6m²"/"9m"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Емкость перехода фотодиода Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость перехода = Диэлектрическая проницаемость полупроводника*Зона соединения/Ширина слоя истощения
C_j = ε_r*A_j/w
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода — это емкость, связанная с обедненной областью полупроводникового устройства, такого как диод или транзистор.
Диэлектрическая проницаемость полупроводника - (Измеряется в Фарада на метр) - Диэлектрическая проницаемость полупроводника означает его способность пропускать электрическое поле. Это свойство материала, которое характеризует реакцию полупроводника на электрическое поле.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь соединения — это площадь поперечного сечения области обеднения, обычно перпендикулярная направлению тока.
Ширина слоя истощения - (Измеряется в метр) - Ширина слоя истощения — это расстояние в области вблизи pn-перехода, где подвижные носители заряда (электроны и дырки) значительно истощены или удалены.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Диэлектрическая проницаемость полупроводника: 11.7 Фарада на метр --> 11.7 Фарада на метр Конверсия не требуется
Зона соединения: 8.6 Квадратный метр --> 8.6 Квадратный метр Конверсия не требуется
Ширина слоя истощения: 9 метр --> 9 метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Оценка ... ...

C_j = 11.18

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

11.18 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

11.18 фарада <-- Емкость перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Волоконно-оптическая передача » Действия резюме оптики Трансмиссия » Емкость перехода фотодиода

Кредиты

Сделано Гаутаман Н

Технологический институт Веллора (Университет ВИТ), Ченнаи

Гаутаман Н создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 17 Действия резюме оптики Трансмиссия Калькуляторы

Пульсация в полосе пропускания

Идти Пульсация в полосе пропускания = ((1+sqrt(Сопротивление 1*Сопротивление 2)*Усиление за один проход)/(1-sqrt(Сопротивление 1*Сопротивление 2)*Усиление за один проход))^2

Шумовая эквивалентная мощность

Идти Шумовая эквивалентная мощность = [hP]*[c]*sqrt(2*Заряд частиц*Темный ток)/(Квантовая эффективность*Заряд частиц*Длина волны света)

Шумовая мощность ASE

Идти Шумовая мощность ASE = Номер режима*Коэффициент спонтанного излучения*(Усиление за один проход-1)*([hP]*Частота падающего света)*Пропускная способность после обнаружения

Коэффициент шума с учетом шумовой мощности ASE

Идти Коэффициент шума = 10*log10(Шумовая мощность ASE/(Усиление за один проход*[hP]*Частота падающего света*Пропускная способность после обнаружения))

Пиковое параметрическое усиление

Идти Пиковое параметрическое усиление = 10*log10(0.25*exp(2*Нелинейный коэффициент волокна*Мощность сигнала насоса*Длина волокна))

Выходной фототок

Идти Фототок = Квантовая эффективность*Оптическая мощность инцидента*[Charge-e]/([hP]*Частота падающего света)

Отзывчивость с учетом длины волны

Идти Чувствительность фотодетектора = (Квантовая эффективность*[Charge-e]*Длина волны света)/([hP]*[c])

Общий шум выстрела

Идти Общий шум выстрела = sqrt(2*[Charge-e]*Пропускная способность после обнаружения*(Фототок+Темный ток))

Тепловой шумовой ток

Идти Тепловой шумовой ток = 4*[BoltZ]*Абсолютная температура*Пропускная способность после обнаружения/Удельное сопротивление

Коэффициент усиления

Идти Чистый коэффициент усиления на единицу длины = Коэффициент оптического ограничения*Коэффициент усиления материала-Эффективный коэффициент потерь

Чувствительность к фотонной энергии

Идти Чувствительность фотодетектора = (Квантовая эффективность*[Charge-e])/([hP]*Частота падающего света)

Емкость перехода фотодиода

Идти Емкость перехода = Диэлектрическая проницаемость полупроводника*Зона соединения/Ширина слоя истощения

Шум темнового тока

Идти Шум темнового тока = 2*Пропускная способность после обнаружения*[Charge-e]*Темный ток

Нагрузочный резистор

Идти Сопротивление нагрузки = 1/(2*pi*Пропускная способность после обнаружения*Емкость)

Оптическое усиление фототранзистора

Идти Оптическое усиление фототранзистора = Квантовая эффективность*Коэффициент усиления тока общего эмиттера

Фотопроводящее усиление

Идти Фотопроводящее усиление = Медленное время транзита оператора связи/Быстрое время доставки

Чувствительность фотодетектора

Идти Чувствительность фотодетектора = Фототок/Мощность инцидента

Емкость перехода фотодиода формула

Емкость перехода = Диэлектрическая проницаемость полупроводника*Зона соединения/Ширина слоя истощения
C_j = ε_r*A_j/w

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!