Capacitância de Junção do Fotodiodo Calculadora

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✖A permissividade do semicondutor refere-se à capacidade de permitir campo elétrico. É uma propriedade material que caracteriza como o semicondutor responde a um campo elétrico.ⓘ Permissividade do Semicondutor [ε_r]			+10% -10%
✖Área de junção é a área da seção transversal da região de depleção, geralmente perpendicular à direção do fluxo da corrente.ⓘ Área de Junção [A_j]			+10% -10%
✖A largura da camada de depleção é a distância através da região próxima à junção pn onde os portadores de carga móvel (elétrons e lacunas) foram significativamente esgotados ou removidos.ⓘ Largura da camada de esgotamento [w]			+10% -10%

✖Capacitância de junção é a capacitância associada à região de depleção de um dispositivo semicondutor, como um diodo ou transistor.ⓘ Capacitância de Junção do Fotodiodo [C_j]

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Fórmula

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Capacitância de Junção do Fotodiodo

Fórmula

`"C"_{"j"} = "ε"_{"r"}*"A"_{"j"}/"w"`

Exemplo

`"11.18F"="11.7F/m"*"8.6m²"/"9m"`

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Capacitância de Junção do Fotodiodo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância de Junção = Permissividade do Semicondutor*Área de Junção/Largura da camada de esgotamento
C_j = ε_r*A_j/w
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância de Junção - (Medido em Farad) - Capacitância de junção é a capacitância associada à região de depleção de um dispositivo semicondutor, como um diodo ou transistor.
Permissividade do Semicondutor - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade do semicondutor refere-se à capacidade de permitir campo elétrico. É uma propriedade material que caracteriza como o semicondutor responde a um campo elétrico.
Área de Junção - (Medido em Metro quadrado) - Área de junção é a área da seção transversal da região de depleção, geralmente perpendicular à direção do fluxo da corrente.
Largura da camada de esgotamento - (Medido em Metro) - A largura da camada de depleção é a distância através da região próxima à junção pn onde os portadores de carga móvel (elétrons e lacunas) foram significativamente esgotados ou removidos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Permissividade do Semicondutor: 11.7 Farad por Metro --> 11.7 Farad por Metro Nenhuma conversão necessária
Área de Junção: 8.6 Metro quadrado --> 8.6 Metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura da camada de esgotamento: 9 Metro --> 9 Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Avaliando ... ...

C_j = 11.18

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

11.18 Farad --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

11.18 Farad <-- Capacitância de Junção

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Gowthaman N.

Instituto Vellore de Tecnologia (Universidade VIT), Chennai

Gowthaman N. criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 17 Ações CV de Transmissão Óptica Calculadoras

Ondulação de banda passante

Vai Ondulação de banda passante = ((1+sqrt(Resistência 1*Resistência 2)*Ganho de passagem única)/(1-sqrt(Resistência 1*Resistência 2)*Ganho de passagem única))^2

Potência equivalente de ruído

Vai Potência equivalente de ruído = [hP]*[c]*sqrt(2*Carga de partículas*Corrente Negra)/(Eficiência quântica*Carga de partículas*Comprimento de onda da luz)

Potência de ruído ASE

Vai Potência de ruído ASE = Número do modo*Fator de Emissão Espontânea*(Ganho de passagem única-1)*([hP]*Frequência da luz incidente)*Largura de banda pós-detecção

Figura de ruído dada a potência de ruído ASE

Vai Figura de ruído = 10*log10(Potência de ruído ASE/(Ganho de passagem única*[hP]*Frequência da luz incidente*Largura de banda pós-detecção))

Ganho Paramétrico de Pico

Vai Ganho Paramétrico de Pico = 10*log10(0.25*exp(2*Coeficiente Não Linear de Fibra*Potência do sinal da bomba*Comprimento da fibra))

Foto de saída atual

Vai Fotocorrente = Eficiência quântica*Potência óptica incidente*[Charge-e]/([hP]*Frequência da luz incidente)

Responsividade com referência ao comprimento de onda

Vai Responsividade do Fotodetector = (Eficiência quântica*[Charge-e]*Comprimento de onda da luz)/([hP]*[c])

Ruído total de tiro

Vai Ruído total de tiro = sqrt(2*[Charge-e]*Largura de banda pós-detecção*(Fotocorrente+Corrente Negra))

Coeficiente de ganho

Vai Coeficiente de ganho líquido por unidade de comprimento = Fator de Confinamento Óptico*Coeficiente de ganho de material-Coeficiente de Perda Efetivo

Responsividade em relação à energia fotônica

Vai Responsividade do Fotodetector = (Eficiência quântica*[Charge-e])/([hP]*Frequência da luz incidente)

Corrente de ruído térmico

Vai Corrente de ruído térmico = 4*[BoltZ]*Temperatura absoluta*Largura de banda pós-detecção/Resistividade

Capacitância de Junção do Fotodiodo

Vai Capacitância de Junção = Permissividade do Semicondutor*Área de Junção/Largura da camada de esgotamento

Ruído atual escuro

Vai Ruído atual escuro = 2*Largura de banda pós-detecção*[Charge-e]*Corrente Negra

Resistor de Carga

Vai Resistência de carga = 1/(2*pi*Largura de banda pós-detecção*Capacitância)

Ganho FotoCondutor

Vai Ganho FotoCondutor = Tempo de trânsito lento da transportadora/Tempo de trânsito rápido da transportadora

Ganho Óptico do Fototransistor

Vai Ganho Óptico do Fototransistor = Eficiência quântica*Ganho de corrente do emissor comum

Responsividade do Fotodetector

Vai Responsividade do Fotodetector = Fotocorrente/Poder do Incidente

Capacitância de Junção do Fotodiodo Fórmula

Capacitância de Junção = Permissividade do Semicondutor*Área de Junção/Largura da camada de esgotamento
C_j = ε_r*A_j/w

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