Capacità di giunzione del fotodiodo calcolatrice

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✖La permettività del semiconduttore si riferisce alla sua capacità di consentire il campo elettrico. È una proprietà del materiale che caratterizza il modo in cui il semiconduttore risponde a un campo elettrico.ⓘ Permittività del semiconduttore [ε_r]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area della sezione trasversale della regione di svuotamento, solitamente perpendicolare alla direzione del flusso di corrente.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%
✖La larghezza dello strato di svuotamento è la distanza attraverso la regione vicino alla giunzione pn dove i portatori di carica mobili (elettroni e lacune) sono stati significativamente impoveriti o rimossi.ⓘ Larghezza dello strato di esaurimento [w]			+10% -10%

✖La capacità di giunzione è la capacità associata alla regione di svuotamento di un dispositivo a semiconduttore, come un diodo o un transistor.ⓘ Capacità di giunzione del fotodiodo [C_j]

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Formula

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Capacità di giunzione del fotodiodo

Formula

`"C"_{"j"} = "ε"_{"r"}*"A"_{"j"}/"w"`

Esempio

`"11.18F"="11.7F/m"*"8.6m²"/"9m"`

Calcolatrice

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Capacità di giunzione del fotodiodo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di giunzione = Permittività del semiconduttore*Zona di giunzione/Larghezza dello strato di esaurimento
C_j = ε_r*A_j/w
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di giunzione - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione è la capacità associata alla regione di svuotamento di un dispositivo a semiconduttore, come un diodo o un transistor.
Permittività del semiconduttore - (Misurato in Farad al metro) - La permettività del semiconduttore si riferisce alla sua capacità di consentire il campo elettrico. È una proprietà del materiale che caratterizza il modo in cui il semiconduttore risponde a un campo elettrico.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area della sezione trasversale della regione di svuotamento, solitamente perpendicolare alla direzione del flusso di corrente.
Larghezza dello strato di esaurimento - (Misurato in metro) - La larghezza dello strato di svuotamento è la distanza attraverso la regione vicino alla giunzione pn dove i portatori di carica mobili (elettroni e lacune) sono stati significativamente impoveriti o rimossi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Permittività del semiconduttore: 11.7 Farad al metro --> 11.7 Farad al metro Nessuna conversione richiesta
Zona di giunzione: 8.6 Metro quadrato --> 8.6 Metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Larghezza dello strato di esaurimento: 9 metro --> 9 metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Valutare ... ...

C_j = 11.18

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

11.18 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

11.18 Farad <-- Capacità di giunzione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Gowthaman N

Vellore Istituto di Tecnologia (Università VIT), Chennai

Gowthaman N ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 17 Azioni CV della trasmissione ottica Calcolatrici

Ondulazione della banda passante

Partire Ondulazione della banda passante = ((1+sqrt(Resistenza 1*Resistenza 2)*Guadagno a passaggio singolo)/(1-sqrt(Resistenza 1*Resistenza 2)*Guadagno a passaggio singolo))^2

Potenza equivalente al rumore

Partire Potenza equivalente al rumore = [hP]*[c]*sqrt(2*Carica di particelle*Corrente Oscura)/(Efficienza quantistica*Carica di particelle*Lunghezza d'onda della luce)

Potenza sonora ASE

Partire Potenza sonora ASE = Numero della modalità*Fattore di emissione spontanea*(Guadagno a passaggio singolo-1)*([hP]*Frequenza della luce incidente)*Larghezza di banda post-rilevamento

Figura di rumore data la potenza di rumore ASE

Partire Figura di rumore = 10*log10(Potenza sonora ASE/(Guadagno a passaggio singolo*[hP]*Frequenza della luce incidente*Larghezza di banda post-rilevamento))

Guadagno parametrico di picco

Partire Guadagno parametrico di picco = 10*log10(0.25*exp(2*Coefficiente non lineare della fibra*Potenza del segnale della pompa*Lunghezza della fibra))

Rumore totale dello scatto

Partire Rumore totale dello scatto = sqrt(2*[Charge-e]*Larghezza di banda post-rilevamento*(Fotocorrente+Corrente Oscura))

Corrente foto in uscita

Partire Fotocorrente = Efficienza quantistica*Potenza ottica incidente*[Charge-e]/([hP]*Frequenza della luce incidente)

Reattività con riferimento alla Lunghezza d'onda

Partire Reattività del fotorilevatore = (Efficienza quantistica*[Charge-e]*Lunghezza d'onda della luce)/([hP]*[c])

Coefficiente di guadagno

Partire Coefficiente di guadagno netto per unità di lunghezza = Fattore di confinamento ottico*Coefficiente di guadagno materiale-Coefficiente di perdita effettivo

Responsività in relazione all'Energia Fotonica

Partire Reattività del fotorilevatore = (Efficienza quantistica*[Charge-e])/([hP]*Frequenza della luce incidente)

Corrente di rumore termico

Partire Corrente di rumore termico = 4*[BoltZ]*Temperatura assoluta*Larghezza di banda post-rilevamento/Resistività

Capacità di giunzione del fotodiodo

Partire Capacità di giunzione = Permittività del semiconduttore*Zona di giunzione/Larghezza dello strato di esaurimento

Rumore della corrente oscura

Partire Rumore della corrente oscura = 2*Larghezza di banda post-rilevamento*[Charge-e]*Corrente Oscura

Resistenza di carico

Partire Resistenza al carico = 1/(2*pi*Larghezza di banda post-rilevamento*Capacità)

Guadagno ottico del fototransistor

Partire Guadagno ottico del fototransistor = Efficienza quantistica*Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Guadagno fotoconduttivo

Partire Guadagno fotoconduttivo = Tempo di transito lento del vettore/Tempo di transito del corriere veloce

Reattività del fotorilevatore

Partire Reattività del fotorilevatore = Fotocorrente/Potere incidente

Capacità di giunzione del fotodiodo Formula

Capacità di giunzione = Permittività del semiconduttore*Zona di giunzione/Larghezza dello strato di esaurimento
C_j = ε_r*A_j/w

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