Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p Calculatrice

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Caractéristiques des semi-conducteurs

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Paramètres électrostatiques

✖La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Concentration de transporteur intrinsèque [n_i]			+10% -10%
✖La concentration de porteurs minoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de valence sans biais appliqué de l'extérieur.ⓘ Concentration des porteurs minoritaires [p₀]			+10% -10%

✖La concentration de porteurs majoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de conduction sans biais appliqué de l'extérieur.ⓘ Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p [n₀]

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Formule

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Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Formule

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Exemple

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

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Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
n₀ = n_i^2/p₀
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration des porteurs majoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs majoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de conduction sans biais appliqué de l'extérieur.
Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration des porteurs minoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs minoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de valence sans biais appliqué de l'extérieur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration de transporteur intrinsèque: 120000000 1 par mètre cube --> 120000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des porteurs minoritaires: 91000000 1 par mètre cube --> 91000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Évaluer ... ...

n₀ = 158241758.241758

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

158241758.241758 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 par mètre cube <-- Concentration des porteurs majoritaires

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs

Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)

Fonction de répartition de Fermi Dirac

Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous

Longueur de diffusion d'électrons

Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)

Écart de bande d'énergie

Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques

Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2

Densité de courant de dérive

Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique

Mobilité des Porteurs de Charge

Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Tension de saturation utilisant la tension de seuil

Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil

Champ électrique dû à la tension Hall

Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p Formule

Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
n₀ = n_i^2/p₀

Comment la concentration de porteurs majoritaires est-elle affectée par la concentration d'impuretés du donneur?

la concentration d'électrons porteurs majoritaires à l'équilibre thermique est essentiellement égale à la concentration d'impuretés du donneur. Les concentrations de porteurs majoritaires et minoritaires à l'équilibre thermique peuvent différer de plusieurs ordres de grandeur. Si la concentration en impuretés du donneur n'est pas trop différente en amplitude de la concentration intrinsèque de porteurs, la concentration d'électrons porteurs majoritaires à l'équilibre thermique est influencée par la concentration intrinsèque.

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