Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ Taschenrechner

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Halbleitereigenschaften

Betriebsparameter des Transistors

Diodeneigenschaften

Elektrostatische Parameter

Ladungsträgereigenschaften

✖Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i]			+10% -10%
✖Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Konzentration von Minderheitsträgern [p₀]			+10% -10%

✖Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ [n₀]

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Formel

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Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Formel

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Beispiel

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Taschenrechner

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Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n₀ = n_i^2/p₀
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Konzentration der Mehrheit der Träger - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Konzentration von Minderheitsträgern - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Intrinsische Trägerkonzentration: 120000000 1 pro Kubikmeter --> 120000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Konzentration von Minderheitsträgern: 91000000 1 pro Kubikmeter --> 91000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Auswerten ... ...

n₀ = 158241758.241758

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

158241758.241758 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 pro Kubikmeter <-- Konzentration der Mehrheit der Träger

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ Formel

Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n₀ = n_i^2/p₀

Wie wird die Konzentration der Mehrheitsträger durch die Konzentration der Donorverunreinigungen beeinflusst?

Die Mehrheit der Trägerelektronen im thermischen Gleichgewicht ist im wesentlichen gleich der Donorverunreinigungskonzentration. Die Mehrfach- und Minoritätsträgerkonzentrationen im thermischen Gleichgewicht können sich um viele Größenordnungen unterscheiden. Wenn sich die Donor-Verunreinigungskonzentration in ihrer Größe nicht zu stark von der intrinsischen Trägerkonzentration unterscheidet, wird die Konzentration der Trägerelektronen im thermischen Gleichgewicht durch die intrinsische Konzentration beeinflusst.

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