Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа Калькулятор

✖Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Концентрация внутреннего носителя [n_i]			+10% -10%
✖Концентрация миноритарных носителей — это количество носителей в валентной зоне без внешнего смещения.ⓘ Концентрация миноритарных перевозчиков [p₀]			+10% -10%

✖Концентрация основных носителей — это количество носителей в зоне проводимости без внешнего смещения.ⓘ Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа [n₀]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Формула

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Пример

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF PDF Image

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
n₀ = n_i^2/p₀
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Концентрация большинства носителей - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация основных носителей — это количество носителей в зоне проводимости без внешнего смещения.
Концентрация внутреннего носителя - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Концентрация миноритарных перевозчиков - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация миноритарных носителей — это количество носителей в валентной зоне без внешнего смещения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация внутреннего носителя: 120000000 1 на кубический метр --> 120000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Концентрация миноритарных перевозчиков: 91000000 1 на кубический метр --> 91000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Оценка ... ...

n₀ = 158241758.241758

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

158241758.241758 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 на кубический метр <-- Концентрация большинства носителей

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Кредиты

Сделано Акшада Кулкарни

Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana

Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!

Проверено Команда Софтусвиста

Офис Софтусвиста (Пуна), Индия

Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

< 13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Функция распределения Ферми Дирака

Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))

Запрещенная энергетическая зона

Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий

Проводимость внешних полупроводников для N-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона

Длина диффузии электронов

Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков

Концентрация основных носителей в полупроводнике

Уровень Ферми собственных полупроводников

Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока

Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока

Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения

Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение

Электрическое поле из-за напряжения Холла

Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа формула

Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
n₀ = n_i^2/p₀

Как на концентрацию основных носителей влияет концентрация донорной примеси?

тепловая равновесная концентрация электронов основных носителей заряда практически равна концентрации донорной примеси. Термически равновесные концентрации основных и неосновных носителей заряда могут различаться на много порядков. Если концентрация донорной примеси не слишком отличается по величине от собственной концентрации носителей, на тепловую равновесную концентрацию электронов основных носителей влияет собственная концентрация.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!