Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Intrinsieke dragerconcentratie: 120000000 1 per kubieke meter --> 120000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Evalueren ... ...
n0 = 158241758.241758
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
158241758.241758 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
158241758.241758 1.6E+8 1 per kubieke meter <-- Meerderheid Carrier Concentratie
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Akshada Kulkarni LinkedIn Logo
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Team Softusvista LinkedIn Logo
Softusvista Office (Pune), India
Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
Lengte elektronendiffusie
​ LaTeX ​ Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
Mobiliteit van ladingdragers
​ LaTeX ​ Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldsterkte

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Formule

​LaTeX ​Gaan
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0

Hoe wordt de concentratie van de meerderheid van de drager beïnvloed door de concentratie van onzuiverheden in de donor?

de concentratie van de meerderheids-dragerelektronen in thermisch evenwicht is in wezen gelijk aan de concentratie van de donoronzuiverheid. De thermisch-evenwichtsmeerderheids- en minderheidsdragersconcentraties kunnen vele ordes van grootte verschillen. Als de concentratie van de donoronzuiverheid niet te veel verschilt van de intrinsieke dragerconcentratie, wordt de thermisch-evenwichtsmeerderheid van de dragerelektronenconcentratie beïnvloed door de intrinsieke concentratie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!