Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p calcolatrice

✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione portante intrinseca [n_i]			+10% -10%
✖La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori di minoranza [p₀]			+10% -10%

✖La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p [n₀]

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Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
n₀ = n_i^2/p₀
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione di portatori maggioritari - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.
Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione di portatori di minoranza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione portante intrinseca: 120000000 1 per metro cubo --> 120000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione di portatori di minoranza: 91000000 1 per metro cubo --> 91000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Valutare ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

158241758.241758 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 per metro cubo <-- Concentrazione di portatori maggioritari

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

LaTeX Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Lunghezza di diffusione elettronica

LaTeX Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

LaTeX Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Mobilità dei vettori di carica

LaTeX Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Vedi altro >>

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p Formula

LaTeX Partire

Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
n₀ = n_i^2/p₀

In che modo la concentrazione del vettore maggioritario è influenzata dalla concentrazione di impurità del donatore?

la concentrazione di elettroni portatori maggioritari all'equilibrio termico è essenzialmente uguale alla concentrazione di impurità del donatore. Le concentrazioni di portatori maggioritari e minoritari all'equilibrio termico possono differire di molti ordini di grandezza. Se la concentrazione di impurità del donatore non è troppo diversa in grandezza dalla concentrazione di portatore intrinseco, la concentrazione di elettroni portatori maggioritari all'equilibrio termico è influenzata dalla concentrazione intrinseca.

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