Fréquence de fonctionnement maximale Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Fréquence de fonctionnement maximale - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de fonctionnement maximale fait référence à la fréquence la plus élevée à laquelle l'appareil peut fonctionner de manière fiable et exécuter ses fonctions prévues.
Fréquence de coupure MESFET - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure MESFET représente la fréquence à laquelle le gain de courant (ou transconductance) du transistor commence à diminuer de manière significative.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est la résistance équivalente vue par la borne de drain d'un FET.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de source fait référence à la résistance associée à la borne source du transistor.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée fait référence à la résistance présentée à la borne d'entrée de l'appareil.
Résistance de métallisation de porte - (Mesuré en Ohm) - La résistance de métallisation de grille est la résistance associée au contact métallique ou à la couche de métallisation à la borne de grille d'un MESFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Fréquence de coupure MESFET: 6252.516 Hertz --> 6252.516 Hertz Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 3.2 Ohm --> 3.2 Ohm Aucune conversion requise
Résistance à la source: 5 Ohm --> 5 Ohm Aucune conversion requise
Résistance d'entrée: 4 Ohm --> 4 Ohm Aucune conversion requise
Résistance de métallisation de porte: 5.254 Ohm --> 5.254 Ohm Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg)) --> 6252.516/2*sqrt(3.2/(5+4+5.254))
Évaluer ... ...
fmax = 1481.26045269158
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1481.26045269158 Hertz --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1481.26045269158 1481.26 Hertz <-- Fréquence de fonctionnement maximale
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta
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10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation
​ Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2
Gain du facteur de dégradation pour MESFET
​ Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2
Facteur de bruit GaAs MESFET
​ Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)
Fréquence de fonctionnement maximale
​ Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))
Puissance maximale autorisée
​ Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2
Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes
​ Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée
Transconductance dans la région de saturation dans MESFET
​ Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))
Angle de transit
​ Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur
Fréquence de coupure MESFET
​ Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)
Fréquence maximale d'oscillation
​ Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Fréquence de fonctionnement maximale Formule

Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
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