Fréquence de coupure MESFET Calculatrice

✖La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.ⓘ Transconductance du MESFET [G_m]			+10% -10%
✖La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la source de porte [C_gs]			+10% -10%

✖La fréquence de coupure MESFET représente la fréquence à laquelle le gain de courant (ou transconductance) du transistor commence à diminuer de manière significative.ⓘ Fréquence de coupure MESFET [f_co]

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Formule

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Fréquence de coupure MESFET

Formule

`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Exemple

`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`

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Fréquence de coupure MESFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Fréquence de coupure MESFET - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure MESFET représente la fréquence à laquelle le gain de courant (ou transconductance) du transistor commence à diminuer de manière significative.
Transconductance du MESFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance du MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte: 56 microfarades --> 5.6E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f_co = G_m/(2*pi*C_gs) --> 0.063072/(2*pi*5.6E-05)

Évaluer ... ...

f_co = 179.253938762358

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

179.253938762358 Hertz --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

179.253938762358 ≈ 179.2539 Hertz <-- Fréquence de coupure MESFET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation

Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Gain du facteur de dégradation pour MESFET

Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Facteur de bruit GaAs MESFET

Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)

Fréquence de fonctionnement maximale

Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))

Puissance maximale autorisée

Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))

Angle de transit

Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur

Fréquence de coupure MESFET

Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence maximale d'oscillation

Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Fréquence de coupure MESFET Formule

Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)

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