Transconductance dans la région de saturation dans MESFET Calculatrice

✖La conductance de sortie est un paramètre qui caractérise le comportement d'un transistor à effet de champ (FET) dans sa région de saturation.ⓘ Conductance de sortie [g₀]			+10% -10%
✖La tension d'entrée est la différence de potentiel électrique appliquée aux bornes d'entrée d'un composant ou d'un système.ⓘ Tension d'entrée [V_i]			+10% -10%
✖La tension de seuil est la tension à laquelle le transistor commence à conduire.ⓘ Tension de seuil [V_G]			+10% -10%
✖La tension de pincement représente la tension grille-source à laquelle le canal du MESFET se ferme, ou « se pince ».ⓘ Tension de pincement [V_p]			+10% -10%

✖La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.ⓘ Transconductance dans la région de saturation dans MESFET [G_m]

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Formule

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Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Formule

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Exemple

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

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Transconductance dans la région de saturation dans MESFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Transconductance du MESFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
Conductance de sortie - (Mesuré en Siemens) - La conductance de sortie est un paramètre qui caractérise le comportement d'un transistor à effet de champ (FET) dans sa région de saturation.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la différence de potentiel électrique appliquée aux bornes d'entrée d'un composant ou d'un système.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil est la tension à laquelle le transistor commence à conduire.
Tension de pincement - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement représente la tension grille-source à laquelle le canal du MESFET se ferme, ou « se pince ».

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Conductance de sortie: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Aucune conversion requise
Tension d'entrée: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Aucune conversion requise
Tension de pincement: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Évaluer ... ...

G_m = 0.0630717433777618

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0630717433777618 Siemens --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transconductance du MESFET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation

Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Gain du facteur de dégradation pour MESFET

Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Facteur de bruit GaAs MESFET

Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)

Fréquence de fonctionnement maximale

Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))

Puissance maximale autorisée

Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))

Angle de transit

Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur

Fréquence de coupure MESFET

Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence maximale d'oscillation

Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET Formule

Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

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